刘挺
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
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- 高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器(英文)
- 2008年
- 第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.
- 邹泽亚杨谟华刘挺赵文伯赵红罗木昌王振
- 关键词：P-I-N
- 高温AlN模板上p型GaN的生长研究
- 2008年
- 利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178″,其空穴氧浓度为5.78×1017cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017cm-3.
- 刘挺邹泽亚王振赵红赵文伯罗木昌周勋杨晓波廖秀英
- 关键词：金属有机物化学气相沉积P型GAN
- 二次退火对P型GaN的应变影响
- 2008年
- 采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨。结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性。
- 周勋左长明邹泽亚廖秀英姬洪罗木昌刘挺赵红
- 关键词：GAN退火HRXRD
- 蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长被引量：1
- 2007年
- 采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后,AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。
- 赵红邹泽亚赵文伯杨晓波刘挺廖秀英王振周勇刘万清
- 关键词：MOCVDALGAN
- 蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长被引量：6
- 2007年
- 在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166″.实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.
- 赵红邹泽亚赵文伯刘挺杨晓波廖秀英王振周勇刘万清
- 关键词：MOCVDALN
- p型GaN的渐变δ掺杂研究被引量：2
- 2007年
- 采用MOCVD技术及渐变-δMg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω.cm。经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴浓度增大了10倍,电阻率减小为原来的1/20。分析认为,渐变δ掺杂减小了Mg的自补偿效应,两步退火提高了Mg的激活效率,从而显著提高了样品的空穴浓度和降低了电阻率。实验还发现,经过750℃下15 min的第二次退火后得到的样品的空穴浓度最大,达5.13×1017cm-3。
- 邹泽亚刘挺王振赵红赵文伯罗木昌杨谟华
- 关键词：P型GANMOCVD
