周勇
- 作品数：38 被引量：56H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市科技攻关计划重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 大功率单隧道结半导体激光器的研制被引量：3
- 2018年
- 针对大功率隧道结半导体激光器因光学灾变损伤(COD)而导致输出光功率无法进一步提高的问题,通过优化器件材料结构,提高了其COD阈值。采用标准的半导体激光器制作工艺,制作了发光区条宽为200μm、腔长为900μm的单隧道结半导体激光器。在脉冲宽度为200ns、重复频率为5kHz的室温下进行测试,器件峰值功率超过70W,并且无明显COD现象发生。在20A工作电流下,器件峰值波长为907nm,光谱宽度为7nm,斜率效率为1.88,接近相同工作电流下单有源层激光器的两倍。
- 陈健廖柯熊煜周勇刘尚军
- 关键词：大功率材料结构
- 基质刻蚀的高功率外腔面发射激光器被引量：3
- 2012年
- 为了降低光抽运外腔面发射激光器的热效应,提高激光器的输出功率,采用液体毛细键合方法将逆序生长的半导体外延片与高热导率的碳化硅散热窗口键合,并用化学刻蚀方法去除外延片的基质。实验研究了用基质刻蚀的外延片搭建的外腔面发射激光器的性能。当增益介质的有源区为InGaAs/AlGaAs多量子阱、抽运源为808nm的光纤耦合输出半导体激光器,输出镜对激光波长透过率为3%时,在室温下获得TEM00模的最大输出功率0.52W,激光波长1018nm,光谱线宽2nm(半峰全宽),激光器的光光转换效率约为20%。测得x方向与y方向的M2因子分别为1.01和1.00,说明输出光束为质量优良的近衍射极限高斯光束。结果表明,基质刻蚀技术可明显改善外腔面发射激光器的热性能,获得高功率、高光束质量的激光输出。
- 伍瑜倪演海戴特力周勇秦莉梁一平范嗣强张鹏
- 关键词：激光器多量子阱光抽运
- AlGaN紫外光探测器外延材料生长研究
- 2005年
- 报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料，生长的高A1组分AlxGa1-xN(x≥0．4)薄膜不裂、表面光亮。并采用X-射线双晶衍射、显微照片等方法对薄膜质量进行了表征。生长的高Al组分AlxGa1-xN薄膜已用于研制64×64元日盲型紫外探测器焦平阵列。
- 赵红赵文伯周勇杨晓波
- 关键词：金属有机物化学气相淀积紫外光焦平面阵列
- 一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构
- 本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧，且所述振...
- 刘刚明张靖邓光华段利华周勇
- 文献传递
- 失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长
- 2012年
- 基于延展波长(截止波长2.2μm)InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs(x=0.72)/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。
- 周勇赵志强周勋刘万清莫才平
- 关键词：INGAASMOCVD
- InAs量子点低温盖层对其发光特性的影响被引量：2
- 2020年
- 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层,采用光致荧光光谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了量子点在不同低温盖层下的荧光发光性质。对比了常规方法和速率调制外延(FME)法生长GaAs低温盖层的量子点质量,结果表明,FME法生长低温盖层的量子点荧光发射谱光强更强且发光寿命达到0.6ns,明显优于普通方法生长低温盖层的量子点发光寿命。
- 吴唯周勇刘尚军刘万清张靖
- 关键词：INAS量子点时间分辨谱
- 微型化光纤陀螺用mini型无致冷短波SLD光源
- 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种微型化光纤陀螺用mini型无致冷短波SLD光源，包括光源外壳和锥形透镜光纤组件，光源外壳上下两个非对称地设置有固定孔，即两个固定孔分别在中心偏右或者中心偏左的位置，其中一个固定孔左右...
- 唐祖荣周勇夏阳袁中朝崔进
- 文献传递
- 一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法
- 本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述...
- 唐祖荣周勇陈文胜段利华吴天伟田坤
- 文献传递
- 850nm超辐射发光二极管被引量：4
- 2004年
- 设计并制作了一种用于中低精度光纤陀螺系统的850nm超辐射发光二极管,对器件的波导模式进行了分析,给出了主要技术参数的设计和测试结果。实验结果表明,器件的波长为852.8nm,光谱半宽为26nm,100mA工作电流下,管芯输出功率大于4.5mW,保偏光纤输出功率大于200μW。
- 廖柯刘刚明周勇方荇李金良
- 关键词：超辐射发光二极管保偏光纤光纤陀螺波导模式
- 一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构
- 本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为Ga...
- 周勇唐祖荣段利华刘万清刘尚军
- 文献传递
