刘万清
- 作品数:10 被引量:21H指数:3
- 供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域:电子电信电气工程更多>>
- 失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长
- 2012年
- 基于延展波长(截止波长2.2μm)InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs(x=0.72)/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。
- 周勇赵志强周勋刘万清莫才平
- 关键词:INGAASMOCVD
- InAs量子点低温盖层对其发光特性的影响被引量:2
- 2020年
- 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层,采用光致荧光光谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了量子点在不同低温盖层下的荧光发光性质。对比了常规方法和速率调制外延(FME)法生长GaAs低温盖层的量子点质量,结果表明,FME法生长低温盖层的量子点荧光发射谱光强更强且发光寿命达到0.6ns,明显优于普通方法生长低温盖层的量子点发光寿命。
- 吴唯周勇刘尚军刘万清张靖
- 关键词:INAS量子点时间分辨谱
- 一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构
- 本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构,包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18,所述有源层15的材料为Ga...
- 周勇唐祖荣段利华刘万清刘尚军
- 文献传递
- 蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长被引量:6
- 2007年
- 在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166″.实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.
- 赵红邹泽亚赵文伯刘挺杨晓波廖秀英王振周勇刘万清
- 关键词:MOCVDALN
- 一种GaAs基InAs量子点材料生长方法
- 本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法,包括:S1、在衬底上生长GaAs缓冲层;S2、在缓冲层上生长2~4ML的InAs量子点层,生长温度为470~510℃;S3、关闭As源;S4、在InAs量子点层的顶部采...
- 刘尚军周勇莫才平冯琛张靖杨晓波刘万清
- 文献传递
- 一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构
- 本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构,包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18,所述有源层15的材料为Ga...
- 周勇唐祖荣段利华刘万清刘尚军
- 文献传递
- 一种GaAs基InAs量子点材料生长方法
- 本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法,包括:S1、在衬底上生长GaAs缓冲层;S2、在缓冲层上生长2~4ML的InAs量子点层,生长温度为470~510℃;S3、关闭As源;S4、在InAs量子点层的顶部采...
- 刘尚军周勇莫才平冯琛张靖杨晓波刘万清
- 文献传递
- GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池技术研究进展被引量:9
- 2009年
- GaAs太阳电池由于其性能优越,成为了光伏领域的发展重点。简单介绍了GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池的应用和研究进展,并对其发展趋势进行了展望。
- 周勋罗木昌赵红周勇刘万清邹泽亚
- 关键词:GAAS多结太阳电池光伏技术
- 大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长被引量:3
- 2013年
- 基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高质量的外延材料。
- 周勇孙迎波周勋刘万清杨晓波
- 关键词:大应变量子阱红外探测器
- 蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长被引量:1
- 2007年
- 采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后,AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。
- 赵红邹泽亚赵文伯杨晓波刘挺廖秀英王振周勇刘万清
- 关键词:MOCVDALGAN