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刘万清

作品数:10 被引量:21H指数:3
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇发光
  • 4篇MOCVD生...
  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇MOCVD
  • 3篇GAAS
  • 2篇偏振
  • 2篇偏振度
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇位错
  • 2篇量子点材料
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇发光效率
  • 2篇SLD

机构

  • 5篇重庆光电技术...
  • 5篇中国电子科技...
  • 1篇重庆邮电大学

作者

  • 10篇刘万清
  • 10篇周勇
  • 5篇杨晓波
  • 3篇赵红
  • 3篇周勋
  • 3篇邹泽亚
  • 2篇刘挺
  • 2篇赵文伯
  • 2篇王振
  • 2篇廖秀英
  • 2篇段利华
  • 1篇罗木昌
  • 1篇莫才平
  • 1篇赵志强
  • 1篇张靖
  • 1篇孙迎波

传媒

  • 5篇半导体光电
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 2篇2007
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长
2012年
基于延展波长(截止波长2.2μm)InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs(x=0.72)/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。
周勇赵志强周勋刘万清莫才平
关键词:INGAASMOCVD
InAs量子点低温盖层对其发光特性的影响被引量:2
2020年
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层,采用光致荧光光谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了量子点在不同低温盖层下的荧光发光性质。对比了常规方法和速率调制外延(FME)法生长GaAs低温盖层的量子点质量,结果表明,FME法生长低温盖层的量子点荧光发射谱光强更强且发光寿命达到0.6ns,明显优于普通方法生长低温盖层的量子点发光寿命。
吴唯周勇刘尚军刘万清张靖
关键词:INAS量子点时间分辨谱
一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构
本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构,包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18,所述有源层15的材料为Ga...
周勇唐祖荣段利华刘万清刘尚军
文献传递
蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长被引量:6
2007年
在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166″.实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.
赵红邹泽亚赵文伯刘挺杨晓波廖秀英王振周勇刘万清
关键词:MOCVDALN
一种GaAs基InAs量子点材料生长方法
本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法,包括:S1、在衬底上生长GaAs缓冲层;S2、在缓冲层上生长2~4ML的InAs量子点层,生长温度为470~510℃;S3、关闭As源;S4、在InAs量子点层的顶部采...
刘尚军周勇莫才平冯琛张靖杨晓波刘万清
文献传递
一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构
本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构,包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18,所述有源层15的材料为Ga...
周勇唐祖荣段利华刘万清刘尚军
文献传递
一种GaAs基InAs量子点材料生长方法
本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法,包括:S1、在衬底上生长GaAs缓冲层;S2、在缓冲层上生长2~4ML的InAs量子点层,生长温度为470~510℃;S3、关闭As源;S4、在InAs量子点层的顶部采...
刘尚军周勇莫才平冯琛张靖杨晓波刘万清
文献传递
GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池技术研究进展被引量:9
2009年
GaAs太阳电池由于其性能优越,成为了光伏领域的发展重点。简单介绍了GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池的应用和研究进展,并对其发展趋势进行了展望。
周勋罗木昌赵红周勇刘万清邹泽亚
关键词:GAAS多结太阳电池光伏技术
大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长被引量:3
2013年
基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高质量的外延材料。
周勇孙迎波周勋刘万清杨晓波
关键词:大应变量子阱红外探测器
蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长被引量:1
2007年
采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后,AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。
赵红邹泽亚赵文伯杨晓波刘挺廖秀英王振周勇刘万清
关键词:MOCVDALGAN
共1页<1>
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