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崔大健

作品数：42 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 1篇化学工程

主题

  • 30篇光电
  • 26篇探测器
  • 14篇光电探测
  • 14篇光电探测器
  • 11篇光电二极管
  • 11篇二极管
  • 10篇雪崩
  • 8篇探测器芯片
  • 6篇单光子
  • 6篇面阵
  • 6篇焦平面
  • 6篇光子
  • 5篇雪崩光电二极...
  • 5篇半导体
  • 4篇铟柱
  • 4篇芯片
  • 4篇焦平面探测器
  • 4篇红外
  • 4篇边缘电场
  • 4篇淬灭

机构

  • 42篇中国电子科技...

作者

  • 42篇崔大健
  • 19篇高新江
  • 12篇陈伟
  • 9篇唐艳
  • 6篇陈扬
  • 2篇赵文伯
  • 2篇周勋
  • 1篇杨晓波
  • 1篇袁中朝
  • 1篇姚科明
  • 1篇许健

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2024
  • 11篇2023
  • 10篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管及制作方法
本发明提供一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管，包括衬底，顺序层叠于衬底上的缓冲层、吸收层、渐变层、电场控制层和帽层，部分所述帽层上设有同轴的三阶梯PN结，所述三阶梯PN结包括半径逐渐增宽而结深逐渐变浅的第三阶梯PN结、第二...
陈伟高新江张承迟殿鑫黄晓峰崔大健王立樊鹏
一种雪崩焦平面探测器外延结构及其制备方法
本发明属于宽禁带半导体、光电子器件领域，具体涉及一种雪崩焦平面探测器外延结构及其制备方法；所述外延结构从上至下包括非故意掺杂AlGaN吸收层、N型AlGaN组分渐变层、N型AlGaN超晶格层、非故意掺杂AlN模板层以及A...
申志辉赵文伯崔大健陈扬刘海军张承敖天宏
InP衬底扩散掺杂和退火方法及光电探测器制作方法
本发明涉及一种InP衬底扩散掺杂和退火方法及光电探测器制作方法，掺杂和退火方法包括：将InP衬底放入MOCVD设备中；使MOCVD设备升温至第二温度，向MOCVD设备内部通入保护气体；对InP衬底进行P型扩散掺杂；使MO...
张承李艳炯孟钰淋杨晓波崔大健黄晓峰迟殿鑫陈伟朱长林
倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法
本发明公开了一种倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法，包括：a、在半绝缘InP衬底上依次生长一层InP应力缓冲层、十个周期交替的InP/InGaAsP稀释波导层、两层InGaAsP光匹配层、三层InGaAs吸收层、...
崔大健高新江黄晓峰樊鹏王立
文献传递
一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管及其制作方法
本发明属于探测器芯片制造技术领域，涉及一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管；台面型光电二极管从上至下叠次连接的N型台面、吸收台面以及P型台面；每个台面的表面覆盖钝化层；在台面型光电二极管的吸收台面中设置有分级势垒层，分级...
黄晓峰张承王立唐艳莫才平迟殿鑫崔大健高新江
文献传递
倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法
本发明公开了一种倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法，包括：a、在半绝缘InP衬底上依次生长一层InP应力缓冲层、十个周期交替的InP/InGaAsP稀释波导层、两层InGaAsP光匹配层、三层InGaAs吸收层、...
崔大健高新江黄晓峰樊鹏王立
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一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管及其制作方法
本发明属于探测器芯片制造技术领域，涉及一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管；台面型光电二极管从上至下叠次连接的N型台面、吸收台面以及P型台面；每个台面的表面覆盖钝化层；在台面型光电二极管的吸收台面中设置有分级势垒层，分级...
黄晓峰张承王立唐艳莫才平迟殿鑫崔大健高新江
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基于浮置环的多像素自由运行单光子探测器及制备方法
本发明公开了一种基于浮置环的多像素自由运行单光子探测器及制备方法，包括外延片、形成于所述外延片上像素单元、形成于所述外延片上且与所述像素单元电连接的P电极以及形成于所述外延片底部的N电极；所述像素单元包括一形成于所述外延...
敖天宏崔大健柳聪张承
一种单片集成型平衡光电探测器芯片及制作方法
本发明属半导体技术领域，具体涉及一种单片集成型平衡光电探测器芯片，所述芯片包括两个并行的光电探测器单元串联集成，光电探测器单元为正入光、台面型双异质PIN结构；光电探测器单元采用半绝缘衬底，半绝缘衬底上沉积有半导体材料结...
崔大健高新江陈扬王立周浪
文献传递
单光子雪崩光电二极管及其制造方法
本发明提供一种单光子雪崩光电二极管及其制造方法，所述单光子雪崩光电二极管包括单光子雪崩光电二极管结构及自适应电阻结构。在单光子雪崩光电二极管结构上集成一个具有第一电阻状态和第二电阻状态的自适应电阻结构，可通过自适应电阻结...
张承崔大健黄晓峰柳聪张圆圆曹一田明波赵江林陈伟敖天宏迟殿鑫
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