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唐艳

作品数：15 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
发文基金：中国电子科技集团公司创新基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇光电
  • 6篇探测器
  • 6篇光电二极管
  • 6篇二极管
  • 4篇雪崩
  • 4篇芯片
  • 3篇雪崩光电二极...
  • 3篇探测器芯片
  • 3篇凸点
  • 3篇焦平面
  • 2篇单电子
  • 2篇倒装
  • 2篇倒装焊
  • 2篇增层
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇微管
  • 2篇像元

机构

  • 15篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 15篇唐艳
  • 10篇高新江
  • 9篇崔大健
  • 6篇陈伟
  • 4篇陈扬
  • 3篇周勋
  • 1篇季万涛
  • 1篇卢杰
  • 1篇兰逸君
  • 1篇胡小燕
  • 1篇王玺

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2017
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
可探测激光入射方向的阵列探测器
本发明涉及一种可探测激光入射方向的阵列探测器，包括管壳,所述管壳中设置有内腔，所述内腔中设置有第一探测器阵列芯片；所述内腔中设置有多个隔板，从而将内腔分成多个隔离腔；所述内腔的开口处设置有管帽，所述管帽上设置有光窗，所述...
唐艳黄晓峰崔大健蒋利群王立张承董绪丰陈伟柴松刚吴尚池邹佩洪
GPON用光接收APD芯片
高新江黄晓峰莫才平迟殿鑫蒋利群崔大健赵军陈扬王立樊鹏柳聪陈伟唐艳张圆圆董绪丰
该项目是由中国电子科技集团公司第四十四研究所(以下简称中电44所)自行开展的民品产业化项目，研发生产的产品为雪崩光电二极管(APD)芯片，应用于GPON(吉比特无源光网络)光接入网，在光线路端(OLT)及用户端(ONU)...
关键词：
关键词：雪崩光电二极管光接入网
一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管及其制作方法
本发明属于探测器芯片制造技术领域，涉及一种分级势垒低暗电流台面型光电二极管；台面型光电二极管从上至下叠次连接的N型台面、吸收台面以及P型台面；每个台面的表面覆盖钝化层；在台面型光电二极管的吸收台面中设置有分级势垒层，分级...
黄晓峰张承王立唐艳莫才平迟殿鑫崔大健高新江
文献传递
一种高可靠InP台面光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种高可靠InP台面光电探测器及其制备方法，包括提供一外延片，并在所述外延片上依次制作二阶梯台面、第一钝化层及金属层形成芯片样品；在所述芯片样品上淀积形成一第二钝化层，其中所述第二钝化层至少完全包覆所述金属层...
唐艳黄晓峰王立崔大健张承陈伟董绪丰柴松刚
一种混成式焦平面倒装集成用新型凸点结构及其制作方法
本发明涉及半导体混合集成芯片制造技术，特别涉及一种混成式焦平面倒装集成用新型凸点结构及其制作方法，所述结构包括ROIC芯片和PDA芯片，所述PDA芯片上设置有In凸点阵列，所述ROIC芯片上设置有金属微管，所述每个微管结...
陈扬柳聪高新江莫才平张圆圆周勋董绪丰唐艳田坤
文献传递
一种InP/InGaAsP模斑转换器及其制作方法
本发明属半导体光电子技术领域，具体涉及一种InP/InGaAsP模斑转换器及其制作方法，包括在InP衬底上形成InP缓冲层，在InP缓冲层上形成由InGaAsP与InP外延层构成的引导层，在引导层上形成InP上转换层，在...
陈伟崔大健黄晓峰周浪莫才平迟殿鑫赵开梅唐艳漆雪松陈维
单电子传输雪崩光电二极管结构及制作方法
本发明公开了一种单电子传输雪崩光电二极管结构，包括衬底,在衬底上依次生长有P型InAlGaAs接触层、P型InGaAs吸收层、非故意掺杂InGaAlAs渐变层、P型InAlAs场控层、非故意掺杂InAlAs倍增层、N型I...
黄晓峰张承王立唐艳高新江莫才平
低过剩噪声级联倍增雪崩探测器设计（英文）
2019年
基于弛豫空间倍增理论数值模型和修正的弛豫空间倍增理论模型,分析了不同倍增级数和不同载流子初始能量时级联倍增雪崩探测器的过剩噪声.研究了不同碰撞离化倍增层厚度、不同电子预加热层厚度、不同电场控制层掺杂浓度对过剩噪声因子的影响.同时,比较了DSMT模型、Van Vilet模型和McIntyre模型得到的结果.通过调整碰撞离化倍增层厚度、电子预加热层厚度和电场控制层掺杂浓度,DSMT数值模拟获得了一个相对优化的结构,其过剩噪声与Van Vliet模型 k s=0.057时相当.
唐艳李彬陈伟黄晓峰柴松刚赵开梅张承高新江
一种混成式焦平面倒装集成用凸点结构及其制作方法
本发明涉及半导体混合集成芯片制造技术，特别涉及一种混成式焦平面倒装集成用凸点结构及其制作方法，所述结构包括ROIC芯片和PDA芯片，所述PDA芯片上设置有In凸点阵列，所述ROIC芯片上设置有金属微管，所述每个微管结构插...
陈扬柳聪高新江莫才平张圆圆周勋董绪丰唐艳田坤
文献传递
垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片及其制作方法
本发明涉及一种垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片及其制作方法，包括：在载体上制作电容下电极和偏置网络传输线；制作电容介质层；在电容介质层上形成匹配电阻、阻抗匹配网络传输线和电容上电极；形成金属凸点；在二极管芯片背面的衬底...
王立崔大健严雪峰黄晓峰唐艳
文献传递
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