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Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文): 2011年; 研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X 射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处 HfSiO 和 GeOx的生长。电学测试分析说明,带有阻挡层的 MIS 电容的电学性能得到提高,包括60Co γ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移。; 徐大朋万里程新红何大伟宋朝瑞俞跃辉沈达身; 关键词：HFO2 AL2O3

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