俞跃辉
- 作品数：154 被引量：71H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 真空磁过滤弧沉积碳氮薄膜的研究被引量：2
- 1997年
- 本文采用真空磁过滤弧沉积技术，在Ｓｉ（１１１）、石英及Ｔｉ／Ｃ衬底上制备得到非晶碳氮（ＣＮｘ）薄膜。采用卢瑟福背散射分析对薄膜的面密度及Ｎ含量进行定量计算。用紫外－可见透射光谱与红外反射光谱研究了薄膜的光学性能。结果表明：随着薄膜中氮含量的增加，碳氮薄膜的光学禁带宽度减小，红外反射率增加。另外，就不同氮气分压对薄膜结构的影响进行了研究。
- 陈智颖俞跃辉赵建平王曦周祖尧杨石奇柳襄怀施天生
- 关键词：光学性能碳氮薄膜FAD
- 一种高压模拟集成开关电路
- 本发明提供一种高压模拟集成开关电路，包括并联的第一、第二模拟子开关，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端...
- 李新昌程新红吴忠昊张萌徐大伟羊志强俞跃辉
- 文献传递
- Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)
- 2011年
- 研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X 射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处 HfSiO 和 GeOx的生长。电学测试分析说明,带有阻挡层的 MIS 电容的电学性能得到提高,包括60Co γ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移。
- 徐大朋万里程新红何大伟宋朝瑞俞跃辉沈达身
- 关键词：HFO2AL2O3
- 电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性
- 2003年
- 采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C薄膜的sp^3键含量高达87％,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm。
- 宋朝瑞俞跃辉邹世昌张福民王曦
- 关键词：微观结构电学特性电绝缘性能SOI
- 基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法
- 本发明介绍了一种基于SOI衬底生长的可进行高温处理的高介电常数材料栅结构及其制备方法。该栅结构的制备与现有CMOS工艺中高温处理步骤相兼容。首先通过O<Sub>2</Sub>等离子体对SOI表面进行预处理，同时SOI衬底...
- 程新红徐大伟王中健何大伟宋朝瑞俞跃辉
- 文献传递
- 一种电流模比较器
- 本发明提供一种电流模比较器，所述电流模比较器用于接收第一路电流和第二路电流，输出比较结果电压信号。所述电流模比较器至少包括：第一差模电流产生电路，用于接收第一路电流和第二路电流，输出第一路电流和第二路电流的差值；第二差模...
- 张正民李建朋董春雷宁振球金星秦英安俞跃辉
- 文献传递
- 一种基于电流模的总线接收器
- 本实用新型提供一种基于电流模的总线接收器，所述总线接收器至少包括参考电压产生单元，用于产生总线信号的参考电压；第一电压电流转换单元，与所述参考电压产生单元相连，用于将所述参考电压转换成参考电流；第二电压电流转换单元，用于...
- 张正民董春雷李建朋金星宁振球俞跃辉
- 高阻硅基GaN晶片上MIS栅结构GaN HEMT射频器件研制被引量：1
- 2019年
- 5G通信中3.4~3.6 GHz是主要使用频段。GaN射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G通信应用需求。文中在高阻硅基GaN外延片上研制了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT),并分析了金属-绝缘层-半导体(Metal-Insulator-Semiconductor,MIS)栅对器件直流和射频特性的影响。研究发现:相比于肖特基栅结构,MIS栅结构器件栅极泄漏电流减少2~5个数量级,漏极驱动电流能力和跨导提高10%以上;频率为3.5 GHz时,增益从1.5 dB提升到4.0 dB,最大资用增益从5.2 dB提升到11.0 dB,电流增益截止频率为8.3 GHz,最高振荡频率为10.0 GHz。
- 顾子悦吴灯鹏程新红刘晓博俞跃辉
- 关键词：高阻硅
- 一种全氮化镓集成功率转换模块
- 本发明涉及一种全氮化镓集成功率转换模块，包括低边驱动电路、高边驱动电路和半桥模块，所述半桥模块包括第一氮化镓功率器件和第二氮化镓功率器件，所述第一氮化镓功率器件的漏极连接高电压HV，源极连接所述第二氮化镓功率器件的漏极，...
- 程新红田宇飞王达郑理俞跃辉
- SOI高压功率器件的制备方法
- 本发明提供的SOI高压功率器件的制备方法，其首先在SOI基板表面的部分区域形成第一氧化层，再去除所述第一氧化层以便形成凹陷区，然后在凹陷区形成第二氧化层，以便使第二氧化层的表面与SOI基板表面保持平齐，再在已形成第二氧化...
- 程新红王中健俞跃辉何大伟徐大伟夏超
