王中健
- 作品数：55 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省科技厅项目中科院创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法
- 本发明提供一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法，首先提供一SOI衬底；在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；该掩膜版在该漂移区...
- 程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
- 文献传递
- 4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析
- 2016年
- 基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性,首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型,并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑。基于该模型,我们对(0001)和(1120)两种晶向晶圆的4H-SiC超结器件的电学特性进行了研究。与(1120)晶圆相比,(0001)晶圆的碰撞电离系数较小,可以实现更高的击穿电压VB。由于碰撞电离各向异性,与传统4H-Si C基器件相比,超结器件的二维电场分布可以将(1120)晶圆器件的击穿电压VB从(0001)晶圆器件的60%提高到72%。
- 陆秋俊王中健
- 关键词：功率器件4H-SIC
- SOI高压功率器件的制备方法
- 本发明提供的SOI高压功率器件的制备方法，其首先在SOI基板表面的部分区域形成第一氧化层，再去除所述第一氧化层以便形成凹陷区，然后在凹陷区形成第二氧化层，以便使第二氧化层的表面与SOI基板表面保持平齐，再在已形成第二氧化...
- 程新红王中健俞跃辉何大伟徐大伟夏超
- 采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究被引量：4
- 2012年
- 采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
- 张有为万里程新红王中健夏超曹铎贾婷婷俞跃辉
- 关键词：石墨烯原子层沉积AL2O3薄膜
- 一种高k介质薄膜的制备方法
- 本发明提供一种高k介质薄膜的制备方法，在标准的RCA清洗法之前加入H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>、H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>的清洗步骤，可以去除样品表面有机物，提高衬底表...
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- 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法
- 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法，包括：提供过渡金属基底；在过渡金属基底表面涂布光刻胶，形成光刻胶层；通过曝光显影将定义图案转移至光刻胶层，形成光刻胶图形；以光刻胶层为掩膜，在过渡金属基底内进行碳离子注入，形成碳...
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- 文献传递
- 具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法
- 本发明的具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法，首先在SOI基板表面开设凹陷区和至少一隔离沟槽，再在凹陷区填充氧化物，并对隔离沟槽和待制备低压器件的局部区域同时进行氧化，使相对于所述隔离沟槽部位的残余顶层硅部分全...
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- 文献传递
- 在石墨烯表面制备栅介质的方法
- 本发明提供一种在石墨烯表面制备栅介质的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上生成有石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂而与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为高k栅介质层；所述金属氧...
- 程新红张有为徐大伟王中健夏超俞跃辉
- 文献传递
- 一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
- 本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向...
- 程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
- 文献传递
- 基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法
- 本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质...
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- 文献传递
