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曹铎

作品数：29 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 9篇介质
  • 8篇石墨
  • 8篇石墨烯
  • 7篇介质薄膜
  • 6篇漂移
  • 5篇电极
  • 4篇岛状
  • 4篇电荷
  • 4篇电荷平衡
  • 4篇端方
  • 4篇掩膜
  • 4篇掩膜版
  • 4篇离子注入
  • 4篇界面层
  • 4篇金属
  • 4篇空位
  • 4篇沟道
  • 3篇电学性能
  • 3篇钝化
  • 3篇钝化层

机构

  • 29篇中国科学院
  • 1篇温州大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 29篇俞跃辉
  • 29篇曹铎
  • 29篇程新红
  • 28篇王中健
  • 21篇夏超
  • 17篇郑理
  • 16篇徐大伟
  • 15篇贾婷婷
  • 11篇宋朝瑞
  • 11篇沈玲燕
  • 10篇王谦
  • 7篇张栋梁
  • 3篇李静杰
  • 1篇万里
  • 1篇万文艳
  • 1篇张有为

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 8篇2012
  • 1篇2011
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于薄膜半导体‑石墨烯异质结的光电探测器制备方法
本发明提供一种基于薄膜半导体‑石墨烯异质结的光电探测器制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面两侧生长金属电极；然后在所述衬底及金属电极表面生长薄膜半导体层；接着，去除部分薄膜半导体层，暴露出其中一侧的金属电...
程新红郑理王中健曹铎王谦沈玲燕张栋梁俞跃辉
文献传递
基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法
本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质...
程新红徐大伟王中健夏超曹铎宋朝瑞俞跃辉
一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
文献传递
一种MIS电容的制作方法
本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O<Sub>2</Sub>，NH<Sub>3</Sub>等离子...
程新红曹铎贾婷婷王中健徐大伟夏超宋朝瑞俞跃辉
文献传递
一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法
本发明提供一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法，首先提供一SOI衬底；在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；该掩膜版在该漂移区...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
文献传递
介质钝化对GaN HEMT性能的影响
本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)...
沈玲燕程新红王中健张栋梁郑理曹铎王谦李静杰俞跃辉
关键词：ALGAN/GAN石墨烯钝化层电流崩塌
一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法
本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所...
程新红王中健徐大伟夏超曹铎贾婷婷宋朝瑞俞跃辉
文献传递
一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法
本发明提供一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面形成石墨烯层；然后将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中，并将所述ALD腔体温度升至设定值，并通入至少一个循环的去离子水...
程新红郑理王中健曹铎王谦沈玲燕张栋梁俞跃辉
一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法
本发明提供一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多P岛N沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的N型漂移区，位于所述N型漂移区一侧的P型体区，以及位于所述N型漂移区另一侧上的N型漏区，其中，所...
程新红王中健徐大伟夏超曹铎贾婷婷宋朝瑞俞跃辉
SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法
本发明提供一种SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法，包括：P-型衬底；P型外延层；N型外延层；第一沟槽，形成于所述N型外延层之中；绝缘层，填充于所述第一沟槽之内；多个N型多晶硅层，自下而上间隔分布于所述绝缘层中；所述...
程新红夏超王中健徐大伟曹铎郑理沈玲燕王谦俞跃辉
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