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郑理
作品数:
55
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
一般工业技术
电气工程
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合作作者
程新红
中国科学院上海微系统与信息技术...
俞跃辉
中国科学院上海微系统与信息技术...
沈玲燕
中国科学院上海微系统与信息技术...
王谦
中国科学院上海微系统与信息技术...
张栋梁
中国科学院上海微系统与信息技术...
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郑理
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程新红
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一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法,包括以下步骤:提供一衬底;在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端;提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版,所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大;自上述第一窗口向...
程新红
夏超
王中健
曹铎
郑理
贾婷婷
俞跃辉
文献传递
一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法
本发明提供一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法,首先提供一SOI衬底;在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端;提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版,所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大;该掩膜版在该漂移区...
程新红
夏超
王中健
曹铎
郑理
贾婷婷
俞跃辉
文献传递
基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法
本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法,制备包括:提供一重掺杂的衬底,并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层;于外延层内形成欧姆接触区;于外延层表面形成界面钝化层,并于界面钝化层表面形成栅结构,于结构表面形成...
程新红
王谦
李静杰
郑理
沈玲燕
张栋梁
顾子悦
钱茹
俞跃辉
文献传递
一种半导体开关器件的工作结温监测系统和方法
本发明涉及一种半导体开关器件工作结温监测系统、监测方法及过温保护方法。所述监测系统包括控制单元、驱动单元、电压检测单元和模数转换单元;其中,驱动单元与半导体开关器件的栅极连接;电压检测单元的第一采集端口、第二采集端口分别...
程新红
全宇华
郑理
一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法
本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法,包括:1)提供SOI衬底,包括顶层硅、底层硅以及埋氧层;2)刻蚀顶层硅的边缘区域;3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料,再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏...
郑理
程新红
宁志军
徐大伟
沈玲燕
王谦
张栋梁
顾子悦
俞跃辉
文献传递
SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法
本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法,栅介质层的制备方法包括:提供一SiC基材,并将SiC基材置于ALD反应腔室中;将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度;采用ALD工艺于SiC...
程新红
王谦
郑理
沈玲燕
张栋梁
顾子悦
钱茹
俞跃辉
文献传递
一种硅基氮化镓微波器件及制备方法
本发明涉及一种硅基氮化镓微波器件及制备方法,包括:将衬底预处理,沉积第一层钝化层;刻蚀,形成凹槽,然后沉积源极和漏极欧姆接触金属,并退火形成欧姆接触;对器件刻蚀;在第一层钝化层及欧姆接触上进行第二层钝化层的淀积,随后对第...
程新红
刘晓博
郑理
俞跃辉
文献传递
一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法
本发明提供一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法,包括步骤:首先,提供一衬底,在所述衬底表面形成石墨烯层;然后将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中,并将所述ALD腔体温度升至设定值,并通入至少一个循环的去离子水...
程新红
郑理
王中健
曹铎
王谦
沈玲燕
张栋梁
俞跃辉
一种全氮化镓集成功率转换模块
本发明涉及一种全氮化镓集成功率转换模块,包括低边驱动电路、高边驱动电路和半桥模块,所述半桥模块包括第一氮化镓功率器件和第二氮化镓功率器件,所述第一氮化镓功率器件的漏极连接高电压HV,源极连接所述第二氮化镓功率器件的漏极,...
程新红
田宇飞
王达
郑理
俞跃辉
一种基于薄膜半导体‑石墨烯异质结的光电探测器制备方法
本发明提供一种基于薄膜半导体‑石墨烯异质结的光电探测器制备方法,包括步骤:首先,提供一衬底,在所述衬底表面两侧生长金属电极;然后在所述衬底及金属电极表面生长薄膜半导体层;接着,去除部分薄膜半导体层,暴露出其中一侧的金属电...
程新红
郑理
王中健
曹铎
王谦
沈玲燕
张栋梁
俞跃辉
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