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沈玲燕

作品数：32 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术医药卫生轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 12篇电极
  • 8篇石墨
  • 8篇石墨烯
  • 8篇金属
  • 7篇功率器件
  • 6篇源区
  • 6篇重掺杂
  • 6篇金属电极
  • 4篇增强型
  • 4篇栅结构
  • 4篇探测器
  • 4篇外延层
  • 4篇介质
  • 4篇P-GAN
  • 3篇单片
  • 3篇单片集成
  • 3篇钝化
  • 3篇钝化层
  • 3篇异质结
  • 3篇源极

机构

  • 32篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 32篇郑理
  • 32篇程新红
  • 32篇沈玲燕
  • 30篇俞跃辉
  • 25篇王谦
  • 23篇张栋梁
  • 11篇王中健
  • 11篇曹铎
  • 6篇徐大伟
  • 6篇李静杰
  • 4篇夏超
  • 1篇俞文杰

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 7篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
介质钝化对GaN HEMT性能的影响
本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)...
沈玲燕程新红王中健张栋梁郑理曹铎王谦李静杰俞跃辉
关键词：ALGAN/GAN石墨烯钝化层电流崩塌
沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法
本发明提供一种沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底的表面形成外延层；2）于所述外延层中刻蚀出环形沟槽；3）于所述环形沟槽内侧形成环形阱区，于所述环形阱区中形成源区和重掺杂区...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
文献传递
一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法
本发明提供一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面形成石墨烯层；然后将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中，并将所述ALD腔体温度升至设定值，并通入至少一个循环的去离子水...
程新红郑理王中健曹铎王谦沈玲燕张栋梁俞跃辉
一种单片集成SiC基GaN半桥电路及其制备方法
本发明涉及一种单片集成SiC基GaN半桥电路及其制备方法，包括高边功率管和低边功率管；所述高边功率管和低边功率管由下往上依次包括：半绝缘SiC衬底、低阻SiC外延层、AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、...
沈玲燕程新红郑理俞跃辉
一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法
本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏...
郑理程新红宁志军徐大伟沈玲燕王谦张栋梁顾子悦俞跃辉
SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法
本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法
本发明提供一种沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底的表面形成外延层；2）于所述外延层中刻蚀出环形沟槽；3）于所述环形沟槽内侧形成环形阱区，于所述环形阱区中形成源区和重掺杂区...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
文献传递
基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法
本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成...
程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
文献传递
一种基于硅基GaN功率管的单片集成半桥电路及其制备方法
本发明涉及一种基于硅基GaN功率管的单片集成半桥电路及其制备方法，在硅基GaN功率器件制备完成后通过晶圆减薄、键合、凹槽刻蚀、介质隔离而得。本发明实现高低边硅基GaN功率器件的全介质隔离，彻底解决硅基GaN功率器件半桥电...
沈玲燕程新红郑理俞跃辉
基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法
本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成...
程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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