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王谦

作品数：26 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术医药卫生轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 11篇电极
  • 8篇石墨
  • 8篇石墨烯
  • 8篇金属
  • 7篇功率器件
  • 6篇源区
  • 6篇重掺杂
  • 6篇金属电极
  • 4篇栅结构
  • 4篇探测器
  • 4篇外延层
  • 4篇介质
  • 3篇钝化
  • 3篇钝化层
  • 3篇异质结
  • 3篇增强型
  • 3篇栅介质
  • 3篇水基
  • 3篇退火
  • 3篇欧姆接触

机构

  • 26篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 26篇俞跃辉
  • 26篇程新红
  • 26篇王谦
  • 25篇郑理
  • 25篇沈玲燕
  • 22篇张栋梁
  • 10篇王中健
  • 10篇曹铎
  • 7篇李静杰
  • 5篇徐大伟
  • 3篇夏超

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 8篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法
本发明提供一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面形成石墨烯层；然后将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中，并将所述ALD腔体温度升至设定值，并通入至少一个循环的去离子水...
程新红郑理王中健曹铎王谦沈玲燕张栋梁俞跃辉
SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法
本发明提供一种SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法，包括：P-型衬底；P型外延层；N型外延层；第一沟槽，形成于所述N型外延层之中；绝缘层，填充于所述第一沟槽之内；多个N型多晶硅层，自下而上间隔分布于所述绝缘层中；所述...
程新红夏超王中健徐大伟曹铎郑理沈玲燕王谦俞跃辉
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一种MOS功率器件及其制备方法
本发明提供一种MOS功率器件及其制备方法，方法包括：提供一第一掺杂类型重掺杂的衬底，并于第一表面上形成第一掺杂类型轻掺杂的外延层；于外延层内形成阱区；于阱区内形成环绕JFET区的源区，并于环绕源区的阱区内形成保护区；于定...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法
本发明提供一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法，所述方法至少包括：1)提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面生长氧化物掩膜层；2)在所述SiC外延片待刻蚀区域的所述氧化物掩膜层表面形成光刻胶层；3)在所述氧...
程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法
本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/...
程新红沈玲燕王中健曹铎郑理王谦张栋梁李静杰俞跃辉
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基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法
本发明提供一种基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法，所述负微分电阻器件包括：衬底；AlGaN/GaN异质结平台，位于所述衬底之上；欧姆接触电极，位于所述AlGaN...
程新红沈玲燕王中健夏超曹铎郑理王谦俞跃辉
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一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法
本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏...
郑理程新红宁志军徐大伟沈玲燕王谦张栋梁顾子悦俞跃辉
SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法
本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法
本发明提供一种沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底的表面形成外延层；2）于所述外延层中刻蚀出环形沟槽；3）于所述环形沟槽内侧形成环形阱区，于所述环形阱区中形成源区和重掺杂区...
程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法
本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成...
程新红王谦李静杰郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉
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