徐大朋
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：温州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省科技厅项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)
- 2011年
- 研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X 射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处 HfSiO 和 GeOx的生长。电学测试分析说明,带有阻挡层的 MIS 电容的电学性能得到提高,包括60Co γ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移。
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- 关键词：HFO2AL2O3
- 高K栅介质的研究
- 随着超大规模集成电路技术的不断发展，介质厚度已经接近于1.2～1.5nm，基于二氧化硅越来越接近于其极限。二氧化硅的栅介质在2nm厚度一下时，由于隧道效应引起了栅电极与硅衬底之间的直接漏电流，存在严重的漏电流和可靠性变差...
- 徐大朋
- 关键词：原子层沉积界面层
- 文献传递
- 反转胶lift-Off工艺制备堆栈电感被引量：5
- 2010年
- 本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微镜和台阶仪观测表明,器件外观良好成品率高。
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- 关键词：SOI
