宋朝瑞
- 作品数：40 被引量：33H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市博士后基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学航空宇航科学技术更多>>
- 基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法
- 本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质...
- 程新红徐大伟王中健夏超曹铎宋朝瑞俞跃辉
- HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究被引量：1
- 2006年
- 利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。
- 蒋军冯涛张继华戴丽娟程新红宋朝瑞王曦柳襄怀邹世昌
- 关键词：碳纳米管场发射碳化铪
- 一种MIS电容的制作方法
- 本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O<Sub>2</Sub>，NH<Sub>3</Sub>等离子...
- 程新红曹铎贾婷婷王中健徐大伟夏超宋朝瑞俞跃辉
- 文献传递
- 国有资产介入上海IC产业布局的研究
- 2011年
- 1国资介入集成电路产业的战略意义
2009年5月1日,《中华人民共和国国有资产法》正式施行,其宗旨在于,＂国家采取措施,推动国有资本向关系国民经济命脉和国家安全的重要行业和关键领域集中，优化国有经济布局和结构；推动国有企业的改革和发展，提高国有经济的整体素质，增强国有经济的控制力、影响力”。
- 宋朝瑞郑惠强赵宇航赵建忠
- 关键词：国有资产IC集成电路产业
- Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)
- 2011年
- 研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X 射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处 HfSiO 和 GeOx的生长。电学测试分析说明,带有阻挡层的 MIS 电容的电学性能得到提高,包括60Co γ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移。
- 徐大朋万里程新红何大伟宋朝瑞俞跃辉沈达身
- 关键词：HFO2AL2O3
- 电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性
- 2003年
- 采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C薄膜的sp^3键含量高达87％,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm。
- 宋朝瑞俞跃辉邹世昌张福民王曦
- 关键词：微观结构电学特性电绝缘性能SOI
- 基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法
- 本发明介绍了一种基于SOI衬底生长的可进行高温处理的高介电常数材料栅结构及其制备方法。该栅结构的制备与现有CMOS工艺中高温处理步骤相兼容。首先通过O<Sub>2</Sub>等离子体对SOI表面进行预处理，同时SOI衬底...
- 程新红徐大伟王中健何大伟宋朝瑞俞跃辉
- 文献传递
- 一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法
- 本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所...
- 程新红王中健徐大伟夏超曹铎贾婷婷宋朝瑞俞跃辉
- 文献传递
- 一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法
- 本发明提供一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多P岛N沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的N型漂移区，位于所述N型漂移区一侧的P型体区，以及位于所述N型漂移区另一侧上的N型漏区，其中，所...
- 程新红王中健徐大伟夏超曹铎贾婷婷宋朝瑞俞跃辉
- 高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究
- 2004年
- 采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。
- 邢玉梅俞跃辉林梓鑫宋朝瑞杨文伟
- 关键词：碳化硅埋层离子束合成退火
