徐杨
- 作品数：19 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院科研项目国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 多晶体结构的铟镓氧的制备方法和晶体管器件的制备方法
- 本公开提供了一种多晶体结构的铟镓氧的制备方法、晶体管器件的制备方法及晶体管器件，可以应用于半导体制造领域。该多晶体结构的铟镓氧的制备方法包括：在基底的栅氧化层表面生长铟镓氧薄膜，得到待晶化材料；其中，待晶化材料表征为薄膜...
- 张括王嘉义王盛凯徐杨尤楠楠李泠
- 薄膜晶体管及其制备方法
- 本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层，栅极金属层下表面贴合基板；介质层，介质层下表面贴合栅极金属层上表面、侧表面和基板的至少部分上表面；沟道层，设置于介质层上方，沟道层...
- 廖天浩王嘉义王盛凯徐杨尤楠楠
- 栅介质层的形成方法和半导体器件
- 本公开提供了一种栅介质层的形成方法和半导体器件，可以应用于半导体技术领域。该栅介质层的形成方法包括：通过调节输入反应腔的微波的输入功率，使反应腔中含氧气体产生的等离子体处于起辉状态；加电氧化阶段：根据微波的输入功率、电场...
- 尤楠楠王盛凯王嘉义徐杨
- 薄膜晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括金属氧化物半导体薄膜；钝化层，形成在有源层上，钝化层包括氟等离子体处理后的金属氧化物半导体薄膜；以及源极和漏极，设置在钝化层上的两端，源极和漏极...
- 李雨轩王嘉义王盛凯尤楠楠徐杨李泠
- 一种用于双栅器件的键合方法
- 本发明公开了一种用于双栅器件的键合方法。本方法包括：在器件功能层面向器件衬底层的一面制作上金属层；在器件衬底层面向器件功能层的一面制作绝缘层；在器件衬底绝缘层上制作下金属层；将洁净处理后的上下金属层通过金属键合方法键合起...
- 刘洪刚徐杨王盛凯常虎东孙兵龚著靖
- 文献传递
- 铜颗粒低温烧结技术的研究进展被引量：4
- 2022年
- 金属纳米材料因具有良好的导电导热性以及能够在较低温度下进行烧结,是功率器件在高温高压高频等工作环境下服役所需的关键电子封装材料之一.文中对应用于功率器件封装领域的铜颗粒实现烧结的研究进行了综述,阐明了目前通过铜颗粒烧结技术实现低温键合的研发背景.从铜颗粒烧结材料的制备、工艺参数和还原方法等关键影响因素出发,讨论、归纳了基于不同烧结机理的低温烧结铜颗粒材料接头的力学性能和电学性能.此外,介绍了铜颗粒烧结技术在贴片封装和全铜互连领域中应用的优良特性.通过对该领域研究成果的分析,结果表明,目前铜烧结材料仍然受到氧化问题的挑战,需要进一步在接头性能的精准调控方面深入研究.
- 李俊龙徐杨赵雪龙王英辉王英辉
- 关键词：低温键合功率器件
- 碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法
- 本发明提供了一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法，其特征在于，包括：利用发光光源模块产生光束；利用监测反馈模块实时监测发光光源模块发射的光束的波长和强度，并反馈至发光光源模块；将发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学...
- 张括王盛凯徐杨
- 薄膜晶体管及其制备方法
- 本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层；沟道层；介质层，位于栅极金属层和沟道层之间；钝化层，包括源极接触孔和漏极接触孔；源极阻挡层，位于源极接触孔内；漏极阻挡层，位于漏极...
- 胡顺东尤楠楠王盛凯李泠王嘉义徐杨
- 双栅互补型薄膜晶体管及其制备方法
- 本公开提供了一种双栅互补型薄膜晶体管，可以应用于集成电路制造技术领域。该双栅互补型薄膜晶体管包括：N型薄膜晶体管，包括：第一底栅结构，N型半导体层，第一源极，第一漏极和第一顶栅结构；第一源极和第一漏极分别设置于N型半导体...
- 廖天浩王嘉义王盛凯徐杨尤楠楠
- 一种使用旋涂水玻璃粘结剂层和点压键合技术的混合晶圆键合方法
- 晶圆键合技术是异质结构制造,3D集成,封装以及层转移(如SOI)中的关键技术,同时在MEMS当中也有重要地位。传统的晶圆键合方法如热压键合法,通常需要比较高的键合温度。但由于热膨胀系数不匹配和后续工艺的要求,键合温度不宜...
- 徐杨
