许维
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种基于阵列式点压的晶圆键合方法
- 本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合...
- 许维刘洪刚王盛凯徐杨王英辉陈大鹏
- 基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究被引量：2
- 2017年
- 利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量。结果表明,等离子体表面激活处理利于得到气泡和空洞数目较少的键合界面,从而有效提升晶圆键合的质量。
- 许维王盛凯刘洪刚
- 一种基于点压技术的新型晶圆键合方法
- 2016年
- 金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键合面积的影响.通过超声扫描显微镜图像,着重比较了传统金金热压键合法与点压键合法的键合面积比.对点压键合法的可选择键合性进行了讨论.结果表明,点压键合法工艺步骤简单,工艺稳定性较好,且具有一定的可选择键合特性,在半导体制造领域中将具有广泛的应用前景.
- 许维王盛凯徐杨王英辉陈大鹏刘洪刚
- 关键词：热压键合
- 表面残留颗粒对晶圆键合影响机制的研究
- 2016年
- 着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响,并从表面残留颗粒统计意义的角度,得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面出现的气泡问题,一种基于点压技术的新型点压键合法被应用到整片键合中,并和传统的金金热压键合法进行了比较。实验表明,采用点压键合法能够有效抑制晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响。
- 许维王盛凯徐杨王英辉陈大鹏刘洪刚
- 关键词：热压键合表面粗糙度
- 一种基于阵列式点压的晶圆键合方法
- 本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合...
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- 文献传递
