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王英辉

作品数：33 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院科研项目国家科技重大专项更多>>
相关领域：金属学及工艺电子电信理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 7篇金属学及工艺
  • 7篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 19篇键合
  • 7篇晶圆
  • 7篇半导体
  • 6篇碳化硅
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇压力传感器
  • 5篇压阻
  • 5篇热压键合
  • 5篇力传感器
  • 5篇半导体器件
  • 5篇衬底
  • 5篇粗糙度
  • 4篇点压
  • 4篇形变
  • 3篇电极
  • 3篇直接键合
  • 3篇制作方法
  • 3篇面粗糙度

机构

  • 33篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学院大...
  • 2篇昆山微电子技...

作者

  • 33篇王英辉
  • 12篇尚海平
  • 9篇王玮冰
  • 8篇王盛凯
  • 7篇徐杨
  • 5篇孙业超
  • 4篇刘洪刚
  • 4篇陈大鹏
  • 4篇许维
  • 3篇陈诚
  • 2篇赫然
  • 2篇孟莹

传媒

  • 2篇焊接学报
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 22篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种键合方法
本发明提供了一种键合方法，包括以下步骤：a)对上基板进行处理，使上基板的键合表面形成若干凸起；对下基板进行处理，使下基板的键合表面形成若干凹槽；所述凸起与凹槽能够一一嵌合对应，且凸起的体积小于凹槽的体积；b)在所述下基板...
李俊龙王英辉
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半导体器件和制作方法
本申请提供了一种半导体器件和制作方法。该半导体器件包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的表面上；电极层，位于第一绝缘层的远离衬底的表面上；第二绝缘层，位于电极层的远离第一绝缘层的表面上，第二绝缘层具有间隔设置的多个通孔，各通...
尚海平曹治王英辉王玮冰
半导体器件与其制作方法
本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该半导体器件包括：具有凹槽的第一电极层；介质层，位于凹槽的表面上以及凹槽两侧的第一电极层的表面上，介质层具有电极接触通孔；第二电极层，位于介质层的远离第一电极层的一侧，且第二电极层...
王英辉尚海平王玮冰
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一种铜-铜键合的方法
本发明提供了一种铜‑铜键合的方法，包括以下步骤：a)在衬底上依次沉积Ti缓冲层和铜薄膜层，得到待键合样品；b)将两个步骤a)得到的待键合样品的铜薄膜层相对放置，在惰性气体保护条件下依次进行甲酸处理和加压处理，得到键合后的...
王英辉陆阳婷
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一种压力传感器
本发明公开了一种压力传感器，包括圆形的敏感膜片，以及与敏感膜片相接触的四个压阻条，该四个压阻条均位于敏感膜片的边缘区域；其中边缘区域为压力传感器中应力不小于应力峰值的90％所对应的区域。由于敏感膜片呈圆形，使得敏感膜片的...
孙业超尚海平王英辉
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一种SiC压力传感器
本发明公开了一种SiC压力传感器，本发明技术方案所述SiC压力传感器中，一方面，将压阻条设置在第二区域内，可以与现有SiC压力传感器一样使得压阻条位于承压膜片对应压力腔的开口边线附近区域，实现输出电压的最大化，另一方，设...
尚海平孙业超王英辉王玮冰
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半导体器件和制作方法
本申请提供了一种半导体器件和制作方法。该半导体器件包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的表面上；电极层，位于第一绝缘层的远离衬底的表面上；第二绝缘层，位于电极层的远离第一绝缘层的表面上，第二绝缘层具有间隔设置的多个通孔，各通...
尚海平曹治王英辉王玮冰
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一种晶圆键合加压装置、晶圆键合的方法及晶圆键合设备
本发明公开了一种晶圆键合加压装置，所述晶圆键合加压装置的压头包括至少两个的子压头；每个所述子压头对待键合晶圆施加压力的区域不相同，使得在加压键合过程中，待键合晶圆的键合前沿点可逐步延伸至所述待键合晶圆的各个边缘。本发明通...
王盛凯王英辉
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一种铜表面氧化物的处理方法
本发明提供了一种铜表面氧化物的处理方法，包括以下步骤：a)将表面有氧化物的铜在惰性气体保护条件下进行加热，得到待处理的铜；b)将步骤a)得到的待处理的铜与甲酸气体进行接触，得到去除表面氧化物的铜。与现有技术相比，本发明提...
王英辉陆阳婷
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一种半导体芯片
本实用新型公开了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括芯片层和第一基板；所述第一基板的表面键合有所述芯片层，所述第一基板中朝向所述芯片层的表面设置有至少一个第一凸起，所述第一凸起周围形成有凹陷区域；所述第一凸起的上表面与所述...
赫然须贺唯知王英辉
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