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马磊

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇源区
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇字形
  • 2篇字形结构
  • 2篇晶体管
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇等离子处理
  • 1篇底片
  • 1篇电学性能
  • 1篇栅介质
  • 1篇高K栅介质
  • 1篇INP衬底
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇王盛凯
  • 3篇刘洪刚
  • 3篇常虎东
  • 3篇马磊
  • 2篇孙兵
  • 2篇李跃
  • 2篇王博

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种InP衬底MOSCAP的结构及其制备方法
本发明公开了一种InP衬底MOSCAP的结构及其制备方法。所述方法包括：S1、在InP衬底片上沉积的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质(102)；S2、在Al<Sub>2</Sub>O<Sub>...
刘洪刚马磊王盛凯常虎东龚著靖
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一种环栅场效应晶体管及其制备方法
一种环栅场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层；刻蚀去除半导体材料层，并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构，凸出部分刻蚀至第二界面控制层，两侧刻...
王盛凯李跃刘洪刚马磊孙兵常虎东王博
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一种环栅场效应晶体管及其制备方法
一种环栅场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层；刻蚀去除半导体材料层，并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构，凸出部分刻蚀至第二界面控制层，两侧刻...
王盛凯李跃刘洪刚马磊孙兵常虎东王博
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