张颖
- 作品数：16 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种微电路封装中锡膏印刷钢网开口处理方法被引量：1
- 2018年
- 针对微电路封装中的锡膏印刷钢网开口,提出了一种新的处理方法。通过自编程序,直接对CIF格式的印刷钢网数据进行焊盘自动识别和焊盘形状的自动处理。利用公开软件,实现CIF数据与其他钢网数据之间的互相转换。该方法具有处理速度快、精度高、易于实现等特点,适用于处理各种EDA软件导出的锡膏印刷钢网开口数据。
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- 用于高密度SMT系统的改进FMECA方法
- 2020年
- 针对高密度SMT产品或系统中典型失效模式,提出了一种基于模糊集和灰色关联理论的改进FMECA方法。运用模糊集理论对SMT系统失效分析中的专家知识模糊语言进行定量评价,得到失效模式频度、严重度、探测度三个输入变量的非模糊数。采用灰色关联理论计算各个失效模式的灰色关联度,再与改进控制限比较,确定了改进措施的必要性。与传统FMECA风险顺序数方法相比,该改进FMECA方法提高了应用的准确性和可靠性。
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- 关键词：SMTFMECA灰色关联理论
- 焊球的形成机理及去除方式研究
- 焊球是构成焊膏的合金焊粉在烧焊时形成的可移动的金属颗粒物,粒径与焊粉相当,会对电路的可靠性造成不利影响,更会直接造成混合集成电路颗粒碰撞噪声检测（PIND）失效。依照IPC-TM-650测试方法手册2.4.43条给出的焊...
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- 关键词：焊球混合集成电路
- 文献传递
- 一种高性能一体化集成电源
- 本发明属于开关电源领域，提供了一种高性能一体化集成电源，包括：电源控制芯片、功率开关装置、高温共烧陶瓷一体化管壳和金属盖板；所述金属盖板设置在高温共烧陶瓷一体化管壳的上方且与高温共烧陶瓷一体化管壳的上表面相适应；所述高温...
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- 基于半桥MOSFET芯片铜带夹扣堆叠的电源SiP设计被引量：1
- 2023年
- 采用系统级封装(System in Package,SiP)设计是实现电源小型化的有效方式之一。同步BUCK DC-DC变换器中的半桥功率开关MOSFET,通过堆叠工艺利用纵向空间,将芯片的占用面积降低了36%。MOSFET芯片表面做焊锡浸润材料金属化处理,直接与铜带夹扣锡膏烧焊,将电流路径电阻减小了约10倍,同时热传导效率得到了改善。通过多芯片微组装工艺,将电源控制器、MOSFET芯片、电感器及其他必要器件集成在BGA陶瓷封装内。研制的电源SiP样机尺寸为20 mm×18 mm×4.8 mm,可双通道独立输出15 A,或双通道并联输出30 A电流,电源转换效率达93%以上。
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- 关键词：系统级封装堆叠
- 一种低空洞率高可靠性的厚膜基板及其制造方法
- 本发明涉及一种低空洞率高可靠性的厚膜基板及其制造方法，该厚膜基板包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的第一网格层、设置在第一网格层上的第二网格层和设置在第二网格层上凸点层，所述凸点层中各凸点位于所述第二网格层中各网格中心。凸点...
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- 文献传递
- 一种用于装载电路的夹具制造方法及夹具
- 本发明提供一种用于装载电路的夹具制造方法及夹具，包括：提供夹具基底，按照所需装载电路的形状，将所述夹具基底分别进行划片和打孔；提供粘接剂将相邻两个所述夹具基底进行粘接，将多个所述夹具基底进行对位；在所述夹具基底上安装用于...
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- 文献传递
- 镀Ni管壳侧壁硅橡胶粘接开裂机理研究
- 2023年
- A型号硅橡胶粘接在镀Ni管壳侧壁后存在开裂情况,包括初始加工后胶点开裂、经历单次清洗后开裂,以及经历随机振动等可靠性试验后开裂,这会导致连接失效等一系列可靠性问题。文章针对A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁引线加固时出现开裂的问题,进行了引线粘接极限破坏力理论计算、不同胶点直径和粘胶间距的仿真,以及等离子清洗提升表面能等研究。研究结果表明,优化引线粘接结构并对镀Ni管壳进行等离子体清洗可以明显提升A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁粘接的可靠性。相关研究结果可以用于A型号硅橡胶实际生产。
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- 关键词：硅橡胶表面能开裂
- 功率IC芯片真空回流焊工艺缺陷研究被引量：1
- 2019年
- 分析了功率IC芯片真空回流焊装配中锡溅锡珠、芯片翻转、边缘空洞3种工艺缺陷的产生机理。研究了钢网厚度、钢网开口、回流时间、压力参数对真空回流焊工艺缺陷的影响。结果表明,功率IC芯片上的空洞随焊膏厚度增加而减小,'9宫'钢网开口更易于保持印刷厚度的一致性。采用120 s预热时间、升温区预真空、变压力真空回流焊等措施,减少了锡溅锡珠,杜绝了芯片翻转,改善了芯片边缘空洞。
- 杨亮亮陈容秦文龙张颖
- 超细凸点节距WLP制备关键工艺技术研究被引量：3
- 2008年
- 通过优化结构设计,改善厚胶光刻工艺条件,采用凸点真空回流等举措,解决了制备超细节距圆片级封装(WLP)工艺中遇到的技术难题,提升了WLP的工艺技术水平;并将具有更优性能的BCB材料应用于WLP的介质层,成功制备出凸点节距为90μm和280μm的样品。研制的样品已通过相关测试和考核。
- 张颖罗驰
- 关键词：圆片级封装苯并环丁烯
