崔伟
- 作品数：15 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划重庆市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 镀Ni管壳侧壁硅橡胶粘接开裂机理研究
- 2023年
- A型号硅橡胶粘接在镀Ni管壳侧壁后存在开裂情况,包括初始加工后胶点开裂、经历单次清洗后开裂,以及经历随机振动等可靠性试验后开裂,这会导致连接失效等一系列可靠性问题。文章针对A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁引线加固时出现开裂的问题,进行了引线粘接极限破坏力理论计算、不同胶点直径和粘胶间距的仿真,以及等离子清洗提升表面能等研究。研究结果表明,优化引线粘接结构并对镀Ni管壳进行等离子体清洗可以明显提升A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁粘接的可靠性。相关研究结果可以用于A型号硅橡胶实际生产。
- 陈容肖玲陆科罗驰廖希异胡彦斌张颖崔伟
- 关键词：硅橡胶表面能开裂
- 双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：1
- 2012年
- 针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品率得到明显提高。
- 唐昭焕王大平梁涛李荣强王斌任芳崔伟谭开洲
- 关键词：半导体工艺刻蚀双层布线
- ULSI/VLSI中铝互连线热应力的数值模拟
- 2005年
- 对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型。对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加。对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟。结果发现,互连线线宽的减小,钝化层硬度的增加,都会使应力增加。与纯弹性线条相比,弹性/理想塑性互连线条中的应力有所减小,且分布更均匀。
- 付厚奎吴月花刘志民郭春生李志国程尧海吉元崔伟
- 关键词：VLSI铝互连线热应力有限元
- 不同基区Ge组分分布对SiGe HBT特性的影响被引量：3
- 2013年
- 研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基区发射结的Ge组分越高,β越大;基区Ge组分梯度升高,VA增大,fT增大。提出了一种优化的Ge分布,与传统Ge分布相比,该分布器件的电流增益β对温度的敏感性分别降低72.1%,56.4%和58.7%,扩大了器件的应用领域。
- 张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静
- 关键词：SIGEHBT电流增益截止频率
- 铬硅薄膜电阻的退火工艺条件研究被引量：2
- 2010年
- 分析了CrSi薄膜电阻阻值的变化机理,并以此作为理论指导,开展退火工艺条件对铬硅薄膜电阻稳定性影响的实验,得到优化的退火工艺条件,可以使铬硅薄膜电阻的温度系数减小到±0.0001℃左右,大大提高了铬硅薄膜电阻的稳定性。
- 姚瑞楠刘玉奎崔伟
- 关键词：半导体工艺温度系数
- 强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究
- 2021年
- 采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电流I_(DT)是一种复合电流,随着栅源电压超过阈值V_(GS)0,它会呈现I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象。从MOS-Bipolar复合模式下的碰撞电离和Snapback效应两方面对I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象进行了理论分析。研究结果可用于优化CMOS/BiCMOS IC的ESD设计。
- 刘玉奎殷万军谭开洲崔伟
- 关键词：碰撞电离静电释放
- 一种集成SOI CMOS的高性能SiGe HBT制作
- 介绍了一种集成SOI CMOS的纵向异质结双极晶体管(HBT)制作方法。由于采用新颖的全耗尽集电区结构，从而可以在薄的SOI硅膜上实现HBT和MOS器件结构和工艺的兼容，为高性能集成电路制造提供了新的解决方案。
- 张静谭开洲崔伟唐昭焕
- 关键词：异质结双极晶体管结构特征
- 0.35μm SiGe BiCMOS隔离深槽表面形貌研究
- 2016年
- 针对0.35μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h_2、深槽顶部开口宽度W_（tp）以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h_3是影响深槽表面形貌的主要因素;当h_2=220nm,W_（tp）=0.7-0.9μm,h_3=150-200nm时,获得了较好的深槽表面形貌,其隔离漏电流小于0.05nA/μm,可用于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的隔离。
- 徐婉静朱坤峰杨永晖任芳黄东梁柳红张霞汪璐崔伟谭开洲钱呈
- 关键词：表面形貌SIGEBICMOSSIGEHBT
- 一种低压差+5V三端电源的研制被引量：3
- 2002年
- 介绍了一种CMOS低压差+5V三端稳压源。在电路设计上,将PMOS管作为调整管,采用带隙基准和NMOS基准两种结构,重点讨论了影响低压差电源的几个因素;在工艺上,采用硅栅自对准CMOS工艺,做出了100mA时压差为0.3V的+5V三端电源。采用NMOS基准的三端稳压源,其静态电流和电源抑制比等参数优于采用带隙基准的三端稳压源。
- 胡永贵蒲大勇崔伟
- 关键词：CMOS稳压电源低压差调整管
- 高性能锗硅异质结器件击穿特性的研究
- 2017年
- 对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均匀分布有利于提高击穿电压;同时将超结结构引入集电区后,SiGe HBT器件的击穿电压提高了36%,由2.5V提高到3.4V。
- 陈繁谭开洲陈振中陈谱望张静崔伟
- 关键词：GE组分分布击穿电压异质结双极晶体管
