汤光洪
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
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- 沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化
- 2018年
- 采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.022μm的基准非晶Si填槽工艺,优化了LPCVD非晶Si反复多次填槽工艺条件。结果表明,采用优化后的工艺可实现沟槽栅IGBT器件沟槽非晶Si无缝回填,器件的栅极电阻降低了0.150Ω,漏电流降低了1.408 nA,成品率提升了0.4%。
- 汤光洪高周妙罗燕飞李志栓周燕春
- 关键词：高深宽比
- 阶梯结构的制造方法
- 本发明揭示了一种阶梯结构的制造方法。本发明提供的一种阶梯结构的制造方法，包括提供一前端结构；刻蚀所述前端结构形成两个台阶；在所述两个台阶上形成遮蔽层；在所述遮蔽层上形成光刻胶层，并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口；...
- 赵学峰李立文李志栓汤光洪
- 文献传递
- 沟槽功率器件及制作方法
- 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层...
- 杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
- 文献传递
- 沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺被引量：1
- 2016年
- 深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响。得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3%左右的工艺条件。利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填。该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2μA,良率达到97.55%。
- 李志栓汤光洪於广军杨新刚杨富宝
- 沟槽功率器件及制作方法
- 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层...
- 杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
- 阶梯结构的制造方法
- 本发明揭示了一种阶梯结构的制造方法。本发明提供的一种阶梯结构的制造方法，包括提供一前端结构；刻蚀所述前端结构形成两个台阶；在所述两个台阶上形成遮蔽层；在所述遮蔽层上形成光刻胶层，并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口；...
- 赵学峰李立文李志栓汤光洪
- 沟槽功率器件
- 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层上第二介质层...
- 杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
- 文献传递
