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杨彦涛

作品数：108 被引量：1H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 106篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 26篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 52篇半导体
  • 32篇半导体器件
  • 31篇光刻
  • 30篇沟槽
  • 28篇功率器件
  • 23篇接触孔
  • 19篇功率半导体
  • 19篇功率半导体器...
  • 17篇导体
  • 15篇光刻胶
  • 14篇栅极
  • 14篇屏蔽导体
  • 13篇刻蚀
  • 12篇电阻
  • 12篇套刻
  • 12篇阻挡层
  • 12篇静电
  • 12篇光刻设备
  • 11篇源区
  • 11篇外延层

机构

  • 108篇杭州士兰集成...
  • 3篇成都士兰半导...

作者

  • 108篇杨彦涛
  • 23篇陈琛
  • 22篇赵金波
  • 20篇王平
  • 14篇向璐
  • 13篇王珏
  • 13篇夏志平
  • 12篇陈文伟
  • 12篇江宇雷
  • 11篇李小锋
  • 9篇肖金平
  • 9篇李云飞
  • 8篇张佼佼
  • 8篇邵凯
  • 7篇李志栓
  • 7篇季锋
  • 6篇蒋敏
  • 6篇韩健
  • 6篇罗宁
  • 6篇刘琛

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2024
  • 10篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2019
  • 20篇2018
  • 13篇2017
  • 22篇2016
  • 12篇2015
  • 9篇2014
  • 13篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 108 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
乙硼烷质量检测结构及检测方法
本发明提供了一种乙硼烷质量检测结构及检测方法，在介质层上淀积BPSG并回流，再检测BPSG中是否存在缺陷进而判断B<Sub>2</Sub>H<Sub>6</Sub>质量，可用于对B<Sub>2</Sub>H<Sub>6<...
李志栓杨彦涛孙健罗宁
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半导体沟槽结构的形成方法
本发明提供了一种半导体沟槽结构的形成方法，所述半导体沟槽结构的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上顺次形成第一介质层和第二介质层；去除部分第二介质层，形成第一窗口；执行氧化工艺，在所述第一窗口中形成鸟嘴结构...
杨彦涛季锋江宇雷赵金波刘琛桑雨果
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Bipolar电路的一种引线孔结构及制造方法
Bipolar电路的引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行...
李小锋陈元金杨彦涛张佼佼
一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法
公开了一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法，包括：衬底，具有第一掺杂类型；外延层，具有第一掺杂类型，位于所述衬底上；体区，具有第二掺杂类型，位于所述外延层中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反；源区，具有第一掺杂类型...
郭欣闻永祥吴晶赵学峰肖金平郭广兴杨彦涛
功率半导体器件
本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽，所述多个沟槽包括第一尺寸的第一沟槽和第二尺寸的第二沟槽，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；位于第一沟槽中的分裂栅结构；位于第二沟槽中的栅极布线，所...
杨彦涛王平张邵华李敏陈琛
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减少熔丝尖刺的修调结构
本实用新型提供一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括半导体衬底；介质层；形成于介质层上的修调熔丝具有一修调电阻、两探针接触垫及分别用于连接修调电阻和探针接触垫的过渡区，过渡区中具有减少修调电阻熔丝尖刺的修调刻开区；形成在修调熔...
杨彦涛赵金波王铎李云飞肖金平
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沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过将第一沟槽和第二沟槽顶部的栅极材料层氧化形成第二氧化层，并在第一沟槽和第二沟槽中栅极材料层顶部侧面留有阻止层，在第二沟槽中栅极材料层顶部...
杨彦涛邵凯夏志平赵金波李云飞
文献传递
乙硼烷质量检测结构
本实用新型提供了一种乙硼烷质量检测结构，包括：半导体衬底、介质层以及采用包含乙硼烷的材料形成并经过回流的掺硼的磷硅玻璃，所述介质层形成于半导体衬底上，所述掺硼的磷硅玻璃形成于介质层上。通过在介质层上淀积BPSG并回流，再...
李志栓杨彦涛孙健罗宁
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减少熔丝尖刺的修调结构及其制造方法
本发明提供一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括半导体衬底；介质层；形成于介质层上的修调熔丝具有一修调电阻、两探针接触垫及分别用于连接修调电阻和探针接触垫的过渡区，过渡区中具有减少修调电阻熔丝尖刺的修调刻开区；形成在修调熔丝和...
杨彦涛赵金波王铎李云飞肖金平
文献传递
沟槽栅型IGBT器件及其制造方法
本发明提供了一种沟槽栅型IGBT器件及其制造方法，该器件包括：N型掺杂的漂移区；P型掺杂的集电区，与漂移区的背面直接或间接地电接触；P型掺杂的基区，与漂移区的正面直接或间接地电接触；第一沟槽栅结构，由基区的表面沿Z方向纵...
顾悦吉杨彦涛韩健王珏
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