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赵学锋

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇光刻
  • 6篇功率器件
  • 6篇沟槽
  • 3篇套刻
  • 3篇阻挡层
  • 3篇线宽
  • 3篇接触孔
  • 3篇静电
  • 3篇光刻胶
  • 3篇光刻设备
  • 3篇半导体
  • 1篇设计方法
  • 1篇匹配方法
  • 1篇光刻版
  • 1篇光刻工艺
  • 1篇光刻机
  • 1篇版图

机构

  • 7篇杭州士兰集成...

作者

  • 7篇赵学锋
  • 6篇杨彦涛
  • 4篇李立文
  • 3篇赵金波
  • 3篇向璐
  • 3篇汤光洪
  • 3篇陶玉美
  • 3篇罗永华
  • 1篇李志栓
  • 1篇宋金伟

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线...
杨彦涛向璐赵金波赵学锋李立文
文献传递
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线宽进一步做的...
杨彦涛向璐赵金波赵学锋李立文
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层...
杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
文献传递
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层...
杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线...
杨彦涛向璐赵金波赵学锋李立文
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层上第二介质层...
杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
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光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法
本发明提供了一种光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，根据同一产品的图形层次以及空闲的不同类型光刻机的数量确定每一图形层次光刻工艺所使用的光刻机，其中，用于第一类光刻机的光刻版版图由整数倍的用于第二类光刻机的光...
李立文赵学锋俞马锋宋金伟李志栓
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