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罗永华

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇阻挡层
  • 3篇静电
  • 3篇功率器件
  • 3篇沟槽
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 3篇半导体

机构

  • 3篇杭州士兰集成...

作者

  • 3篇杨彦涛
  • 3篇赵学锋
  • 3篇汤光洪
  • 3篇陶玉美
  • 3篇罗永华

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层...
杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
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沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层...
杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，并在所述沟槽的底壁形成第一介质层，在第一沟槽的侧壁形成第二介质层，在第一沟槽的第一介质层上第二介质层...
杨彦涛陶玉美赵学锋汤光洪罗永华
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