您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 9篇光刻
  • 3篇光刻版
  • 3篇光刻工艺
  • 3篇硅片
  • 2篇掩膜
  • 2篇套刻
  • 2篇图案
  • 2篇线宽
  • 2篇接触孔
  • 2篇刻度
  • 2篇刻度尺
  • 2篇功率器件
  • 2篇沟槽
  • 2篇光刻胶
  • 2篇光刻设备
  • 2篇光栅
  • 2篇硅衬底
  • 2篇高深宽比
  • 2篇MEMS
  • 2篇测量方法

机构

  • 10篇杭州士兰集成...

作者

  • 10篇李立文
  • 3篇李志栓
  • 3篇崔小锋
  • 3篇刘琛
  • 3篇赵学锋
  • 2篇赵学峰
  • 2篇季峰
  • 2篇赵金波
  • 2篇周文林
  • 2篇向璐
  • 2篇杨彦涛
  • 2篇宋金伟
  • 1篇汤光洪

传媒

  • 1篇电子测试

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光栅位置的测量方法
本发明提供了一种光栅位置的测量方法,包括:提供一光刻版模板,所述光刻版模板具有刻度尺标记图案;使用所述光栅与所述光刻版模板对一测试样品进行光刻工艺,以在所述测试样品上形成与所述刻度尺标记图案对应的刻度尺标记;将所述刻度尺...
李立文崔小锋方佼周文林
文献传递
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法,通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层,使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离,再进行接触孔刻蚀时,可以使接触孔的线...
杨彦涛向璐赵金波赵学锋李立文
文献传递
阶梯结构的制造方法
本发明揭示了一种阶梯结构的制造方法。本发明提供的一种阶梯结构的制造方法,包括提供一前端结构;刻蚀所述前端结构形成两个台阶;在所述两个台阶上形成遮蔽层;在所述遮蔽层上形成光刻胶层,并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口;...
赵学峰李立文李志栓汤光洪
文献传递
MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构
本发明提供了一种MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构,该方法包括:步骤S11,提供MEMS封帽硅衬底;步骤S12,在MEMS封帽硅衬底上形成相叠的n层掩膜层,在形成每一层掩膜层之后对该掩膜层及其下方的其他全部...
闻永祥刘琛季峰李立文
文献传递
半导体结构
本实用新型揭示了一种半导体结构。本实用新型提供的半导体结构,包括:前端结构,所述前端结构具有前端标记;位于所述前端结构上的介质层;位于所述介质层中的通孔,所述通孔暴露出所述前端标记。由此对厚介质层露出前端标记,实现正常光...
赵学峰李立文宋金伟李志栓刘琛崔小锋
文献传递
光栅位置的测量方法
本发明提供了一种光栅位置的测量方法,包括:提供一光刻版模板,所述光刻版模板具有刻度尺标记图案;使用所述光栅与所述光刻版模板对一测试样品进行光刻工艺,以在所述测试样品上形成与所述刻度尺标记图案对应的刻度尺标记;将所述刻度尺...
李立文崔小锋方佼周文林
文献传递
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件,通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层,使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离,再进行接触孔刻蚀时,可以使接触孔的线宽进一步做的...
杨彦涛向璐赵金波赵学锋李立文
光学光刻设备发展和展望被引量:2
2016年
在半导体技术和制造的发展中,半导体加工技术中最为关键的光刻技术和光刻工艺设备,必将发生显著的变化,本文将对光刻技术和光刻设备的发展历史进行简述,并展望未来光刻技术的趋势。
李立文
关键词:光学光刻
光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法
本发明提供了一种光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法,根据同一产品的图形层次以及空闲的不同类型光刻机的数量确定每一图形层次光刻工艺所使用的光刻机,其中,用于第一类光刻机的光刻版版图由整数倍的用于第二类光刻机的光...
李立文赵学锋俞马锋宋金伟李志栓
文献传递
MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构
本发明提供了一种MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构,该方法包括:步骤S11,提供MEMS封帽硅衬底;步骤S12,在MEMS封帽硅衬底上形成相叠的n层掩膜层,在形成每一层掩膜层之后对该掩膜层及其下方的其他全部...
闻永祥刘琛季峰李立文
共1页<1>
聚类工具0