李志栓
- 作品数：18 被引量：5H指数：2
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- 低漏电的低压二极管芯片及其制备方法
- 本发明揭示了一种低漏电的低压二极管芯片，所述低漏电的低压二极管芯片包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的上表面，所述外延层具有高压二极管区、三极管区以及用于隔绝所述高压二极管区和三极管区的隔离，所述高压二极管区具有第一极和...
- 张常军王平周琼琼刘旺李志栓
- 文献传递
- SOI深槽刻蚀Notching效应的研究被引量：2
- 2015年
- 本文研究了高频(13.56 MHz)和低频(380 KHz)深槽刻蚀机,对SOI硅片深槽刻蚀横向切口(notching)效应的影响。结果表明:过刻蚀量(OE)在20%时,高频设备发生notching现象,但是随着槽尺寸的增大,notching的横向刻蚀量呈线性下降;低频设备在OE为90%时仍没有明显notching现象。研究表明SF6等离子体频率较低,难以响应高频射频场;以及高频设备刻蚀离子垂直方向性较强,易造成介质层电荷积累是导致notching效应的主要原因。
- 於广军闻永祥方佼李志栓
- 关键词：深槽刻蚀微机械系统
- 光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法
- 本发明提供了一种光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，根据同一产品的图形层次以及空闲的不同类型光刻机的数量确定每一图形层次光刻工艺所使用的光刻机，其中，用于第一类光刻机的光刻版版图由整数倍的用于第二类光刻机的光...
- 李立文赵学锋俞马锋宋金伟李志栓
- 文献传递
- 半导体结构
- 本实用新型揭示了一种半导体结构。本实用新型提供的半导体结构，包括：前端结构，所述前端结构具有前端标记；位于所述前端结构上的介质层；位于所述介质层中的通孔，所述通孔暴露出所述前端标记。由此对厚介质层露出前端标记，实现正常光...
- 赵学峰李立文宋金伟李志栓刘琛崔小锋
- 文献传递
- 沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺被引量：1
- 2016年
- 深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响。得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3%左右的工艺条件。利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填。该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2μA,良率达到97.55%。
- 李志栓汤光洪於广军杨新刚杨富宝
- 深槽刻蚀工艺参数及干法清洗工艺的研究
- 2018年
- 本文研究了博世(Bosch)工艺的工艺参数及清洗工艺对刻蚀结果的影响。通过调节工艺参数(包括SF6气体的流量、工艺气压、上电极(Source)功率、下电极偏压(bias)功率、C4F8钝化切换时间)研究其对刻蚀速率、选择比及刻蚀形貌的影响,得到了工艺参数的一般性规律及本实验的最佳工艺条件,刻蚀速率1.77μm/min,选择比为91.23,深槽CD差在-0.2μm左右,刻蚀形貌为倒梯形且接近垂直。同时对干法清洗工艺进行了研究,解决长草异常的同时,提供了一种深槽刻蚀工艺维护的方法。
- 周浩罗燕飞高周妙闻永祥李志栓方佼季锋
- 关键词：深槽刻蚀清洗工艺微机械系统
- 乙硼烷质量检测结构及检测方法
- 本发明提供了一种乙硼烷质量检测结构及检测方法，在介质层上淀积BPSG并回流，再检测BPSG中是否存在缺陷进而判断B<Sub>2</Sub>H<Sub>6</Sub>质量，可用于对B<Sub>2</Sub>H<Sub>6<...
- 李志栓杨彦涛孙健罗宁
- 文献传递
- 乙硼烷质量检测结构及检测方法
- 本发明提供了一种乙硼烷质量检测结构及检测方法，在介质层上淀积BPSG并回流，再检测BPSG中是否存在缺陷进而判断B<Sub>2</Sub>H<Sub>6</Sub>质量，可用于对B<Sub>2</Sub>H<Sub>6<...
- 李志栓杨彦涛孙健罗宁
- 文献传递
- 沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化
- 2018年
- 采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.022μm的基准非晶Si填槽工艺,优化了LPCVD非晶Si反复多次填槽工艺条件。结果表明,采用优化后的工艺可实现沟槽栅IGBT器件沟槽非晶Si无缝回填,器件的栅极电阻降低了0.150Ω,漏电流降低了1.408 nA,成品率提升了0.4%。
- 汤光洪高周妙罗燕飞李志栓周燕春
- 关键词：高深宽比
- 乙硼烷质量检测结构
- 本实用新型提供了一种乙硼烷质量检测结构，包括：半导体衬底、介质层以及采用包含乙硼烷的材料形成并经过回流的掺硼的磷硅玻璃，所述介质层形成于半导体衬底上，所述掺硼的磷硅玻璃形成于介质层上。通过在介质层上淀积BPSG并回流，再...
- 李志栓杨彦涛孙健罗宁
- 文献传递
