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韩伟峰

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇液相外延
  • 2篇液相外延生长
  • 1篇淀积
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振度
  • 1篇气相淀积
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇金属有机物
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇功率
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇辐射发光
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光

机构

  • 3篇重庆大学
  • 3篇重庆光电技术...

作者

  • 3篇黄茂
  • 3篇韩伟峰
  • 2篇周勇
  • 2篇段利华
  • 2篇罗庆春
  • 1篇方亮
  • 1篇刘安平
  • 1篇周雪梅
  • 1篇张靖

传媒

  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用被引量：2
2010年
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1 054 nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1 054 nm激光器的制备,取得了较好的结果。
刘安平韩伟峰黄茂罗庆春
关键词：金属有机物化学气相淀积应变量子阱半导体激光器
低偏振高功率1310nm超辐射发光二极管的液相外延生长被引量：2
2015年
对新月形超辐射发光二极管的液相外延生长过程进行了机理分析。利用Matlab软件对建立的非平面生长模型进行了理论计算,并利用扫描电镜(SEM)对液相外延生长的形貌进行了分析,通过理论计算与实验分析设计了获得低偏振、高功率超辐射发光二极管的外延结构。利用该结构研制的超辐射发光二极管芯片在100 m A工作电流、25℃工作温度下输出功率达到3.6 m W,相应的输出波长为1 306 nm,光谱半宽为39nm,光谱波纹为0.17 d B,偏振度为2%。
周勇段利华张靖刘尚军韩伟峰黄茂
关键词：超辐射发光二极管高功率液相外延
双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析被引量：2
2012年
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
段利华方亮周勇周雪梅韩伟峰罗庆春黄茂
关键词：液相外延漏电流
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