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罗庆春

作品数：4 被引量：7H指数：2
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文基金：重庆市科技攻关计划重庆市教育委员会科学技术研究项目国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇NM
  • 1篇带宽
  • 1篇单模
  • 1篇单模半导体激...
  • 1篇单模激光
  • 1篇单模激光器
  • 1篇电特性
  • 1篇淀积
  • 1篇调制
  • 1篇调制带宽
  • 1篇液相外延
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇气相淀积
  • 1篇斜率效率

机构

  • 4篇重庆光电技术...
  • 3篇重庆大学
  • 1篇重庆电子工程...

作者

  • 4篇罗庆春
  • 2篇方亮
  • 2篇周勇
  • 2篇段利华
  • 2篇黄茂
  • 2篇韩伟峰
  • 2篇张靖
  • 1篇张淑芳
  • 1篇刘安平
  • 1篇周雪梅
  • 1篇郭洪

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用被引量：2
2010年
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1 054 nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1 054 nm激光器的制备,取得了较好的结果。
刘安平韩伟峰黄茂罗庆春
关键词：金属有机物化学气相淀积应变量子阱半导体激光器
双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析被引量：2
2012年
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
段利华方亮周勇周雪梅韩伟峰罗庆春黄茂
关键词：液相外延漏电流
1053nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性被引量：3
2015年
制备了一种新型的具有高调制带宽的1 053 nm超辐射发光二极管(SLD).利用光荧光(PL)测试分析了不同温度、不同生长速率对SLD芯片外延材料质量的影响,优化了In Ga As/Ga As量子阱的生长温度与生长速率.分析了SLD模块的光电特性随温度与注入电流的变化关系.研究结果表明,SLD输出波长随温度的漂移系数为0.35 nm/℃,其输出波长随注入电流的漂移对温度并不敏感.在25℃、100 m A注入电流下SLD的-3 d B调制带宽达到1.7 GHz,尾纤输出功率2.5 m W,相应的光谱半宽为24 nm,光谱波纹为0.15 d B.
段利华张淑芳周勇张靖郭洪罗庆春方亮
关键词：超辐射发光二极管NM调制带宽
高温高斜率效率1060 nm单模半导体激光器
2024年
1060 nm半导体激光器在高能激光系统种子源、空间激光雷达等领域具有广泛的应用,受限于砷化镓体系InGaAs量子阱材料大应力,在1060 nm波段激光器外延生长缺陷密度较高,且由于目前该波段激光器结构设计普遍采用窄波导结构,腔内损耗和非辐射复合水平较高,激光器斜率效率较低,高温特性较差。传统InGaAs压应变量子阱势垒高度较低加剧了激光器的高温特性劣化。文章通过优化激光器外延生长条件并采用应变补偿量子阱结构和厚N包层结构,精确控制材料应力和势垒高度,降低腔内损耗,减小远场发散角,研制出了一种高性能1060 nm单模半导体激光器,斜率效率在85℃时依然超过0.9 W/A。此外,通过引入分布式反馈激光器悬浮掩埋光栅结构实现了激光器波长锁定,斜率效率超过0.7 W/A。
李睿骁卢翔孟赵伦张雪阳廖苗苗罗庆春邹佩洪邱高山张靖
关键词：单模激光器分布式反馈激光器
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