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段利华

作品数:25 被引量:49H指数:5
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金中国工程物理研究院基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇激光
  • 7篇损伤阈值
  • 6篇熔石英
  • 6篇激光损伤
  • 5篇二极管
  • 4篇光学
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 4篇辐射发光
  • 4篇超辐射
  • 4篇超辐射发光二...
  • 2篇液相外延
  • 2篇液相外延生长
  • 2篇输入输出
  • 2篇紫外激光
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇激光损伤阈值
  • 2篇功率
  • 2篇光学元件

机构

  • 13篇成都精密光学...
  • 9篇重庆大学
  • 8篇重庆光电技术...
  • 3篇四川大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇重庆教育学院
  • 1篇重庆电子工程...

作者

  • 24篇段利华
  • 8篇胡建平
  • 8篇张问辉
  • 6篇许乔
  • 6篇马平
  • 4篇周勇
  • 4篇张靖
  • 3篇胡江川
  • 2篇陈宁
  • 2篇莫才平
  • 2篇陈建国
  • 2篇方亮
  • 2篇廖克俊
  • 2篇张清华
  • 2篇唐明
  • 2篇王万录
  • 2篇黄茂
  • 2篇韩伟峰
  • 2篇田坤
  • 2篇王世健

传媒

  • 5篇半导体光电
  • 4篇激光杂志
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇光学与光电技...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇信息记录材料
  • 1篇2004年全...
  • 1篇第十届全国光...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 4篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 3篇2006
  • 6篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2003
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
1053 nm InGaAs/GaAs量子阱高速超辐射发光二极管的制备与性能研究
超辐射发光二极管(SLD)是一种让自发辐射的光子在给定腔体中传播时受增益增大(以内部单程增益为特征)的光发射器件,其光学性质介于激光器(LD)和发光二极管(LED)之间,具有光谱宽、相干性弱、功率大、效率高等优点,因此,...
段利华
关键词:超辐射发光二极管量子阱结构发光性能散热性能
文献传递
基于内置光栅的大功率激光二极管被引量:1
2015年
研制了一种用作光纤激光器泵浦光源内置光栅的976nm激光二极管,分析了外延结构和芯片平面结构设计,并着重对内置光栅进行了理论分析和设计,通过技术研究和工艺优化,研制出了满足系统工程应用的激光二极管,其主要光电性能参数如下:中心波长为976±1nm;光谱半宽小于等于1nm;中心波长温度漂移系数小于等于0.1nm/℃;输出功率大于等于10W;发光条宽度小于等于100μm。
廖柯刘刚明周勇段利华冯琛田坤
关键词:大功率激光二极管中心波长
覆盖S+C波段的宽光谱带宽InGaAlAs/InP量子阱结构
2022年
通过理论仿真和实际制备测试,分析比较了基于非对称量子阱结构(10 nm厚和6 nm厚的量子阱组合)的光放大芯片与对称量子阱结构(10 nm厚量子阱)的光放大芯片的性能。两种结构的理论模式增益同最终实测值符合较好。最终光谱测试结果显示,对称量子阱结构的光放大芯片存在基态增益饱和的现象,在大电流注入情况下,激态跃迁占据优势,从而造成光谱宽度急剧下降。而非对称量子阱结构的光放大芯片的光谱宽度随着注入电流的增加不断拓宽,在600 mA下实现199.7 nm光谱带宽,覆盖S+C波段。由此可见,非对称量子阱结构更有利于实现高功率、宽光谱的光放大芯片。
周帅冯琛廖苗苗罗晶彭芳草贺勇段利华张靖
关键词:宽光谱
K9玻璃表面的1064nm激光损伤被引量:5
2006年
K9玻璃是一种性能优异的光学材料,作为激光薄膜的基底,其抗激光损伤的特性和能力,直接影响高功率激光薄膜的性能,特别是对激光增透,偏振膜。本论文采用10ns的1064nm激光,实验研究了K9玻璃前后的激光损伤特性,用Normaski显微镜分析损伤图貌,结果显示玻璃前后表面的激光损伤表现不同,前表面主要表现为烧伤,后表面主要表现为破斑,前后表面的损伤阈值之比约为1.4。后表面的损伤形貌与前表面相比,基本为灾难性损伤,多次激光脉冲打击显示,后表面的激光损伤尺度随着激光脉冲数呈指数增长。
胡建平张问辉段利华马平许乔
关键词:激光损伤
透射光学元件的1064nm激光损伤特性被引量:6
2006年
通过对K9玻璃增透膜和偏振片的1064 nm激光损伤试验,显示激光透射元件激光损伤的一个显著特点是形成针孔损伤,其大小在10~50μm之间,分布呈分离状,其损伤深达基片表层及亚表层,与高反膜的激光损伤形态区别明显。K9和增透膜的孔洞损伤形成于后表面,偏振片形成于膜面,在一定的能量范围内,如能量提高1~2倍,激光能量与孔洞损伤的大小关联不大,只是孔洞的数量增加。孔洞的形成是由激光形成的驻波场引起的,并与基片表面及亚表面的损伤缺陷有关。
胡建平张问辉段利华马平许乔
关键词:激光损伤孔洞
多壁碳纳米管流体速度传感器的实验研究
2003年
理论与实验研究发现碳纳米管在流体中存在一种电子拖曳现象,据此原理进行了多壁碳纳米管流体速度传感器的实验研究。实验中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验结果表明流动液体在多壁碳纳米管中诱导出的电流随流体速度的增加而增加,并与液体中离子浓度和温度密切相关。在室温下,当流体速度从0增加到10-1m/s时,电流从0增加到51μA。碳纳米管中这种效应可作为一种新型的流体速度传感器。并对所得的结果进行了讨论。
廖克俊王万录张毅段利华马勇
关键词:碳纳米管流体速度传感器CVD
InP晶圆背面减薄工艺中翘曲度的控制与矫正
2020年
背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效,应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从"损伤层-翘曲度"理论出发,实验研究了晶圆厚度、粘片方式、研磨压力、磨盘转速、磨料粒径对翘曲度的影响。根据试验结果优化工艺参量,优化后晶圆的翘曲度降低了约20%;再通过湿法腐蚀去除损伤层,矫正已产生的翘曲,使晶圆的翘曲度降低约90%。优化减薄工艺降低损伤应力与湿法腐蚀去除损伤层分别是控制和矫正晶圆翘曲度的适用方法,可使翘曲度下降至之前的10%以内。
张圆圆柳聪赵文伯莫才平董绪丰黄玉兰梁星宇段利华田坤张洪波
关键词:损伤层翘曲度湿法腐蚀
K9玻璃表面的1064nm激光损伤
K9玻璃是一种性能优异的光学材料,作为激光薄膜的基底,其抗激光损伤的特性和能力直接影响高功率激光薄膜的性能,特别是对激光增透和偏振膜.本论文采用10ns的1064nm激光,实验研究了K9玻璃前后的激光损伤特性,用Norm...
胡建平张问辉段利华胡江川马平许乔
关键词:激光损伤光学材料激光脉冲
文献传递
色分离光栅激光诱导损伤特性实验研究被引量:1
2005年
对色分离光栅(CSG)在10 64nmNd YAG激光辐照下的损伤特性进行了实验研究。研究表明,湿法刻蚀CSG的损伤阈值比干法刻蚀的高,刻蚀面的损伤阈值比非刻蚀面的损伤阈值大,激光入射表面选择影响光栅面和非光栅面的损伤阈值,从非光栅面入射,这两个面的损伤阈值都比从光栅面入射的高。
张问辉段利华胡建平陈建国周礼书
3ω激光辐照下熔石英的损伤增长研究被引量:2
2005年
对熔石英在三倍频激光条件下损伤尺寸与激光辐照次数的关系进行了测试分析。结果表明,在一定的激光参数(脉宽、波长和能量)下,每个点的损伤尺寸在一定的辐照次数以后基本不再发生变化。当从激光损伤开始发生到损伤尺寸基本不再变化,损伤点的横向直径与激光辐照次数基本呈指数增长关系。
段利华张问辉胡建平雷向阳王万录
关键词:熔石英
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