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张靖: 作品数：20 被引量：43H指数：4; 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金重庆市科技攻关计划重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

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一种850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器的设计被引量：1: 2013年; 采用PICS3D软件建立了850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)的仿真模型,通过优化量子阱有源区的阱和垒的个数、合理选取分布式布拉格反射镜(DBR)的材料以及对数,设计了一种850nm氧化限制型VCSEL。在10μm氧化孔径下,与商用的850nm氧化限制型VCSEL相比,其阈值电流从1.8mA降至1.5mA,斜率效率从0.3W/A提升到0.65W/A。; 丁锋张靖王品红田坤赵开梅; 关键词：垂直腔面发射激光器阈值电流斜率效率

1310nm大功率低噪声DFB激光器设计被引量：2: 2014年; 对工作波长为1 310nm的大功率低噪声DFB激光芯片结构进行了优化设计。分别对具有相同非对称分别限制层（SCH）外延层的掩埋异质结构（BH）和脊波导结构（RWG）进行了建模仿真。计算结果表明：非对称SCH结构较对称SCH结构,可明显提高激光输出功率;相比于RWG结构,BH结构对载流子有更好的限制作用,从而降低相对强度噪声（RIN）。优化设计后的DFB激光器输出功率高达207mW@600mA,斜率效率为0.36W/A,边模抑制比为50dB,在1~30GHz范围内,激光器的相对强度噪声小于-160dB/Hz。; 冯琛张靖田坤王培界黄茂; 关键词：大功率 DFB激光器

基于Python的半导体激光二极管仿真技术研究: 2023年; 基于Python语言,编写具有UI界面的半导体激光二极管(LD)仿真EDA程序,该程序可以设置LD芯片有源区的材料组分,分析材料参数并计算波导折射率,绘制折射率分布曲线和光强分布曲线,计算芯片的有源区的能带结构及增益特性并绘制在不同载流子浓度下的光增益谱曲线。通过该EDA程序,对791 nm波长的半导体激光二极管芯片进行了仿真,参考仿真结果制作了发光区条宽为190μm,腔长为4 mm的芯片,15 A电流下其峰值功率达16.25 W。; 熊煜张靖李小冰唐佳吴婧; 关键词：激光二极管仿真 EDA PYTHON

1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量：2: 2021年; 设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管。设计的脊波导出光面TiO_(2)/SiO_(2)四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响。实验结果表明,在250mA直流电流驱动下,所设计的超辐射发光二极管芯片单管输出功率可达22.7mW,出射光谱FWHM约为37.3nm,光谱纹波系数低于0.15dB,TE模式输出光强占主导,偏振度约为19.2dB。; 周帅许瑨田坤张靖庞福滨刘尚军任涛廖柯; 关键词：超辐射发光二极管增透膜偏振度

低偏振高功率1310nm超辐射发光二极管的液相外延生长被引量：2: 2015年; 对新月形超辐射发光二极管的液相外延生长过程进行了机理分析。利用Matlab软件对建立的非平面生长模型进行了理论计算,并利用扫描电镜(SEM)对液相外延生长的形貌进行了分析,通过理论计算与实验分析设计了获得低偏振、高功率超辐射发光二极管的外延结构。利用该结构研制的超辐射发光二极管芯片在100 m A工作电流、25℃工作温度下输出功率达到3.6 m W,相应的输出波长为1 306 nm,光谱半宽为39nm,光谱波纹为0.17 d B,偏振度为2%。; 周勇段利华张靖刘尚军韩伟峰黄茂; 关键词：超辐射发光二极管高功率液相外延

日盲型AlGaN紫外阵列探测器研制: 2024年; 针对日盲紫外波段光信号的探测,研制了1 280×1 024/15μm×15μm AlGaN阵列型紫外探测器。像元采用共用N面电极的PIN台面结构,介绍了器件的结构、材料生长和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。结果表明:器件的正向开启电压大于10 V,反向击穿电压大于90 V;0.5 V偏压时单像元暗电流约为0.1 fA,1 V偏压时光谱响应范围为255~282 nm, 270 nm峰值波长响应度约为0.12 A/W。器件实现了日盲紫外成像演示。; 刘海军张靖申志辉周帅周建超姚彬彬; 关键词：ALGAN 日盲紫外阵列探测器成像

InAs量子点低温盖层对其发光特性的影响被引量：2: 2020年; 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层,采用光致荧光光谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了量子点在不同低温盖层下的荧光发光性质。对比了常规方法和速率调制外延(FME)法生长GaAs低温盖层的量子点质量,结果表明,FME法生长低温盖层的量子点荧光发射谱光强更强且发光寿命达到0.6ns,明显优于普通方法生长低温盖层的量子点发光寿命。; 吴唯周勇刘尚军刘万清张靖; 关键词：INAS量子点时间分辨谱

用于高速CMOS图像传感器的锁相环模块被引量：5: 2018年; 随着CMOS图像传感器(CIS)向片上系统化、高度集成化方向发展,片内锁相环(PLL)成为系统不可或缺的片上时钟模块,而高速高集成的CIS对PLL的高频时钟输出能力提出了新的挑战。介绍了一种基于0.13μm CIS工艺设计的电荷泵PLL模块,该模块工作于1.5V电压,利于控制功耗;具备压控振荡器(VCO)电流自偏置和自校准技术,可提供最高频率为480MHz的输出信号和更好的噪声性能;多种输入输出倍频可选功能使其能够满足多样化的片上时钟生成需求,提高可复用性。仿真结果表明,当实现12倍频且输出频率为480MHz时,该PLL模块输出信号的均方根周期抖动为837fs,功耗为2.817mW,满足高速CIS对时钟速度的需求,同时保证了输出时钟的低噪声和模块本身的低功耗。; 刘戈扬李明祝晓笑吴治军张靖; 关键词：锁相环

(113)B和(100)面InAs/GaAs量子点光致发光光谱特性研究: 2023年; 利用分子束外延技术在(100)和(113)B GaAs衬底上进行了有/无AlAs盖帽层量子点的生长,测量了其在4~100 K温度区间的PL光谱。通过对PL光谱的积分强度、峰值能量和半高宽进行分析进而研究载流子的热传输特性。无AlAs盖帽层的(113)B面量子点的PL光谱的热淬灭现象可以由载流子极易从量子点向浸润层逃逸来解释。然而,有AlAs盖帽层的(113)B量子点的PL热淬灭主要是由于载流子进入了量子点与势垒或者浸润层界面中的非辐射中心引起的。并且其PL的温度依存性与利用Varshni定律计算的体材料InAs的温度依存性吻合很好,表明载流子通过浸润层进行传输受到了抑制,由于AlAs引起的相分离机制(113)B量子点的浸润层已经消失或者减小了。(100)面有AlAs盖帽层的PL半高宽的温度依存性与无AlAs盖帽层的量子点大致相同,表明在相同外延条件下相分离机制在(100)面上不如(113)B面显著。; 莫才平张靖李睿骁卢翔孟; 关键词：分子束外延 INAS量子点光致发光

SiNx表面修饰在剥离技术中的应用: 2022年; 针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题,采用碱溶液处理SiNx表面,研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明SiNx表面处理后,胶膜底切宽度稳定性得到显著提高,绝对变化量1.8μm减小到0.2μm,相对变化量从177.2%降低到15.2%,制备出较好的剥离胶膜形貌,解决了InGaAs芯片批产过程中出现的电极图形剥离效果不稳定的问题。; 刘海军张靖莫才平段利华闫应星黄晓峰; 关键词：SINX 表面处理稳定性

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