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胡俊伟

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇镀钯
  • 1篇子层
  • 1篇金属
  • 1篇金属化
  • 1篇化学镀
  • 1篇化学镀钯
  • 1篇半导体
  • 1篇钯

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇邹鹏辉
  • 1篇胡俊伟
  • 1篇李彭瑞
  • 1篇潘斌
  • 1篇王彦硕
  • 1篇刘鑫

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法
本发明公开了一种用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法，通过强酸环境中钯离子及还原剂与半导体材料和金属表面发生强氧化还原反应在半导体材料和金属表面置换出一层钯晶种，其后在钯化学镀液中通过镀液的自激发在钯晶种上持续沉...
邹鹏辉王彦硕潘斌李彭瑞胡俊伟刘鑫
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