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傅开红

作品数:7 被引量:6H指数:2
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院教育部射频电路与系统重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 4篇增益
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇电流
  • 3篇电流注入
  • 3篇振荡器
  • 3篇混频
  • 3篇混频器
  • 3篇CMOS工艺
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇压控
  • 2篇压控振荡器
  • 2篇闪烁噪声
  • 2篇相位
  • 2篇相位噪声
  • 2篇放大器
  • 2篇CMOS
  • 2篇改进型
  • 1篇低相位噪声
  • 1篇阅读器

机构

  • 6篇杭州电子科技...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 7篇傅开红
  • 6篇程知群
  • 5篇李进
  • 4篇周云芳
  • 1篇徐胜军
  • 1篇张胜
  • 1篇周云芳
  • 1篇李进
  • 1篇朱雪芳
  • 1篇高俊君
  • 1篇周霄鹏

传媒

  • 3篇电子器件
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2010
  • 5篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器被引量:2
2009年
设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。
程知群李进傅开红周云芳徐胜军张胜
关键词:电流注入闪烁噪声增益
基于CMOS工艺压控振荡器和低噪声放大器研究
近年来随着无线通信系统的迅猛发展和CMOS工艺的不断进步,对CMOS无线射频收发机要求越来越高。低成本、小型化、宽频带、低噪声、更高的工作频段是未来射频收发机设计所要努力的方向。   射频压控振荡器和放大器都是无线通信...
傅开红
关键词:压控振荡器低噪声放大器CMOS工艺
一种改进型电流注入混频器的设计
文设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计使用SMIC0.35um...
李进程知群傅开红周云芳
关键词:电流注入闪烁噪声增益
文献传递
增益可调宽带CMOS低噪声放大器设计
2010年
设计了一种应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器。电路中采用了二阶巴特沃斯滤波器作为输入和输出匹配电路;采用了两级共源共栅结构实现电路的放大,并通过控制第二级的电流,实现了在宽频带范围内增益连续可调;采用了多栅管(MGTR),提高了电路的线性度;设计基于SMIC 0.18μm CMOS工艺。仿真结果显示,在频带3~5 GHz的范围内最高增益17 dB,增益波动小于1.8 dB,输入和输出端口反射系数分别小于-10 dB和-14 dB,噪声系数nf小于3.5 dB,当控制电压Vctrl=1.4 V时,IIP3约为2 dBm,电路功耗为16 mW。
程知群傅开红李进周云芳
关键词:增益可调
一种高增益低噪声CMOS混频器设计被引量:1
2009年
设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益。采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺设计,在本振(LO)信号的频率为1.571GHz,射频(RF)信号频率为1.575GHz时,混频器的增益为17.5dB,噪声系数(NF)为8.35dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6dBm。混频器工作电压1.8V,直流电流为8.8mA,版图总面积为0.63mm×0.78mm。
程知群李进傅开红朱雪芳高俊君
关键词:高增益低噪声混频器电流注入
基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究
2009年
设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声。电路设计采用SMIC0.18μmCMOS工艺。仿真结果表明:在工作电压为1.8V时,直流功耗为9mW,压控振荡器的频率范围870~1500MHz(53%),调谐增益在67MHz/V至72MHz/V之间。相位噪声优于-100dBc/Hz@100kHz。
程知群傅开红李进周云芳
关键词:CMOS宽带压控振荡器开关电容阵列相位噪声
应用于UHF RFID阅读器中低相位噪声LC VCO设计被引量:1
2010年
设计了一种应用于860~960MHz UHF RFID阅读器低相位噪声的CMOS LC压控振荡器.电路经过一个SCL结构的1/2分频器输出四相正交信号.电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺库和Cadence SpectreRF仿真器.仿真结果表明:VCO在分频前,实现了调频范围为1620~2020MHz;在振荡频率为1.8GHz时,相位噪声为-127.5dBc/Hz@1MHz;VCO经过2分频电路后,实现了调频范围为810~1010MHz;在频率900MHz,其相位噪声-133.5dBc/Hz@1MHz.
程知群周云芳傅开红李进周霄鹏
关键词:RFID阅读器LC振荡器低相位噪声正交输出
共1页<1>
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