周云芳
- 作品数：8 被引量：5H指数：2
- 供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院教育部射频电路与系统重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器被引量：2
- 2009年
- 设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。
- 程知群李进傅开红周云芳徐胜军张胜
- 关键词：电流注入闪烁噪声增益
- 应用于Bluetooth频率合成器的可编程分频器设计
- 2009年
- 设计了一种应用于Bluetooth整数频率合成器的可编程分频器。电路设计采用SMIC0．18μmCMOS工艺和Cadence Spectre仿真器。整个分频电路由基于SCL（Source-Coupled Logic）结构实现的16／17双模预分频电路和基于标准数字逻辑单元实现的可编程计数器组成。频率合成器的信道间隔设为1MHz。通过对可编程计数器进行预置数，分频器覆盖整个ISM信号频段（2400-2478MHz）。
- 程知群周云芳周苏萍朱雪芳高俊君
- 关键词：蓝牙分频器可编程计数器
- 低相位噪声毫米波平面振荡器研究
- 2008年
- 设计了一种低相位噪声毫米波平面振荡器电路,采用在振荡器谐振端嵌入缺陷接地结构(DGS)方法来改善振荡器的相位噪声;同时在振荡器混合集成中采用了芯片倒扣技术减小寄生效应。分析并比较了嵌入和未嵌入DGS结构两种振荡器电路的性能。测试结果表明,嵌入DGS结构的振荡器相位噪声比未嵌入的降低了5 dB^7 dB。
- 程知群周云芳张胜
- 关键词：缺陷接地结构相位噪声毫米波振荡器
- 锁相环中克服非理想因素的鉴相器和电荷泵设计被引量：2
- 2010年
- 讨论了锁相环中鉴相器和电荷泵中非理想因素及其克服方法。电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺和Cadence Spectre仿真器。通过在重置反馈路径上加入延迟单元的方法来消除鉴相器的死区。比较了两种传统电荷泵电路的设计方法,通过加入ReplicaBias电路和单位增益运放,实现了上下电流的高匹配性。
- 程知群朱雪芳周云芳高俊君徐胜军
- 关键词：鉴相器电荷泵
- 应用于UHF RFID阅读器中低相位噪声LC VCO设计被引量：1
- 2010年
- 设计了一种应用于860~960MHz UHF RFID阅读器低相位噪声的CMOS LC压控振荡器.电路经过一个SCL结构的1/2分频器输出四相正交信号.电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺库和Cadence SpectreRF仿真器.仿真结果表明：VCO在分频前,实现了调频范围为1620~2020MHz;在振荡频率为1.8GHz时,相位噪声为-127.5dBc/Hz@1MHz;VCO经过2分频电路后,实现了调频范围为810~1010MHz;在频率900MHz,其相位噪声-133.5dBc/Hz@1MHz.
- 程知群周云芳傅开红李进周霄鹏
- 关键词：RFID阅读器LC振荡器低相位噪声正交输出
- 1.8GHz CMOS整数频率合成器设计
- 近几年无线通信市场的快速发展推动了低成本、低功耗、小面积无线收发机的研究与开发。同时随着CMOS、Bi-CMOS工艺技术的进步，使得无线接收机系统中的大部分单元电路，如低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、滤波器...
- 周云芳
- 关键词：无线收发系统压控振荡器
- 增益可调宽带CMOS低噪声放大器设计
- 2010年
- 设计了一种应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器。电路中采用了二阶巴特沃斯滤波器作为输入和输出匹配电路;采用了两级共源共栅结构实现电路的放大,并通过控制第二级的电流,实现了在宽频带范围内增益连续可调;采用了多栅管（MGTR）,提高了电路的线性度;设计基于SMIC 0.18μm CMOS工艺。仿真结果显示,在频带3~5 GHz的范围内最高增益17 dB,增益波动小于1.8 dB,输入和输出端口反射系数分别小于-10 dB和-14 dB,噪声系数nf小于3.5 dB,当控制电压Vctrl=1.4 V时,IIP3约为2 dBm,电路功耗为16 mW。
- 程知群傅开红李进周云芳
- 关键词：增益可调
- 基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究
- 2009年
- 设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声。电路设计采用SMIC0.18μmCMOS工艺。仿真结果表明:在工作电压为1.8V时,直流功耗为9mW,压控振荡器的频率范围870～1500MHz(53%),调谐增益在67MHz/V至72MHz/V之间。相位噪声优于-100dBc/Hz@100kHz。
- 程知群傅开红李进周云芳
- 关键词：CMOS宽带压控振荡器开关电容阵列相位噪声
