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文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 4篇低噪
  • 4篇低噪声
  • 4篇放大器
  • 3篇低噪声放大器
  • 3篇混频
  • 3篇混频器
  • 2篇电流复用
  • 2篇噪声系数
  • 2篇增益
  • 2篇线性度
  • 2篇混频器设计
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇放大器设计
  • 2篇高线性
  • 2篇高线性度
  • 2篇改进型
  • 1篇低电源电压
  • 1篇低噪声系数
  • 1篇电荷泵

机构

  • 8篇杭州电子科技...

作者

  • 8篇徐胜军
  • 7篇程知群
  • 4篇朱雪芳
  • 4篇高俊君
  • 2篇张胜
  • 2篇周云芳
  • 2篇李进
  • 1篇周鹏飞
  • 1篇冯玉洁
  • 1篇傅开红

传媒

  • 4篇电子器件
  • 2篇杭州电子科技...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
高增益高线性度CMOS偶次谐波混频器设计被引量:1
2010年
设计了一种能应用于GPS接收机的偶次谐波混频器,在RF输入端采用了电流复用电路提高混频器的转换增益和线性度,在LO输入端采用了倍频技术。同时,该拓扑结构还具有低功耗的优点。仿真结果表明:在1.8V电源电压下,RF频率1.575GHz,LO频率0.7895 GHz,LO功率为-5 dBm时,该混频器的转换增益为20.848 dB,三阶交调截至点为-2.297 dBm。表现出了高增益、高线性度的性能。
程知群高俊君朱雪芳徐胜军
关键词:倍频技术CMOS
基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器被引量:2
2009年
设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。
程知群李进傅开红周云芳徐胜军张胜
关键词:电流注入闪烁噪声增益
锁相环中克服非理想因素的鉴相器和电荷泵设计被引量:2
2010年
讨论了锁相环中鉴相器和电荷泵中非理想因素及其克服方法。电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺和Cadence Spectre仿真器。通过在重置反馈路径上加入延迟单元的方法来消除鉴相器的死区。比较了两种传统电荷泵电路的设计方法,通过加入ReplicaBias电路和单位增益运放,实现了上下电流的高匹配性。
程知群朱雪芳周云芳高俊君徐胜军
关键词:鉴相器电荷泵
900MHz低噪声放大器的分析与设计
2009年
利用ADS完成了900MHz低噪声放大器的设计。该文重点分析了偏置电路的设计和稳定性的分析。另外对微带线的高频寄生效应等进行了分析,并针对这些因素利用ADS进行了电磁场仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF35143器件设计,达到了预定的技术指标。
周鹏飞程知群李进张胜徐胜军
关键词:低噪声放大器噪声系数阻抗匹配
基于RFCMOS工艺低噪声放大器和功率放大器设计
随着无线通信技术的迅速发展和CMOS工艺的不断提高,使得基于CMOS工艺实现的无线射频集成电路(RFIC)得到更加广泛应用,并向低成本、低功耗、小尺寸、高集成度、多标准、多频段的方向发展。并使得传统用GaAs、BiCMO...
徐胜军
关键词:低噪声放大器功率放大器耐压性热载流子效应
文献传递
1.2V高线性度低噪声折叠混频器设计被引量:1
2010年
设计一种工作在1.2 V低电源电压下的折叠混频器。混频器电路采用折叠结构和电流复用技术,降低电源电压,减小直流功耗,降低噪声、提高增益和线性度。跨导级采用交流耦合互补跨导进一步降低电源电压。混频器设计基于SMIC0.18μm标准CMOS工艺。仿真结果表明:输入射频频率和输出中频频率为2.5 GHz和100 MHz时,IIP3为3.857 dBm,NF为5.257 dB,转换增益为9.787 dB,功耗为5.22 mW。
程知群朱雪芳高俊君徐胜军
关键词:电流复用低电源电压低噪声系数
改进型双频段低噪声放大器设计被引量:4
2010年
设计了一种电流复用结构的双频段低噪声放大器,其中心频率为900 MHz和1 900 MHz。为减少芯片面积和提高电路性能,给出了一种改进的输入端和级间匹配网络,利用小电感LC网络代替大电感的栅极电感Lg和级间电感Ld1。仿真结果表明:该低噪放在两个需要的频带内功率增益(S21)大于16.0 dB;输入反射系数(S11)小于-18.6 dB;输出反射系数(S22)小于-12 dB;反向隔离(S12)小于-40 dB;噪声系数(NF)小于2.8 dB;线性度(IP3)大于-9.5 dBm。设计采用SMIC 0.18μmCMOS工艺,功耗为8.64 mW,电源电压1.8 V。
程知群徐胜军朱雪芳高俊君
关键词:低噪声放大器双频段电流复用
2.4GHz线性功率放大器的分析与设计
2011年
该文介绍了基于SMIC 0.18μm CMOS工艺工作于2.4GHz功率放大器的设计方法,并给出了仿真结果。电路采用两级放大的结构,驱动级采用自偏置Cascode结构,为了保证驱动级有足够的线性度,偏置电压采用了自适应结构,使偏置电压随着输入功率的不同而变化,保证了放大器的线性度并提高了功率附加效率,功率级采用共源结构以达到较大的输出功率。仿真结果显示,在2.4GHz频率下,放大器功率增益为25dB,输出1dB压缩点约为22dBm,功率附加效率为37%。
程知群冯玉洁徐胜军
关键词:功率放大器射频集成电路
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