- 基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器被引量：2
- 2009年
- 设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。
- 程知群李进傅开红周云芳徐胜军张胜
- 关键词：电流注入闪烁噪声增益
- 一种人类声纹生物密钥生成方法
- 本发明提出了一种声纹生物密钥生成方法。本发明将声纹特征序列向高维空间中投影，在高维空间中将特征序列稳定到可接受的波动范围内，再对稳定后的特征序列编码，从编码中提取生物密钥。整个方法在待认证用户端、认证服务器端均无需记录用...
- 吴震东李进
- 文献传递
- 900MHz低噪声放大器的分析与设计
- 2009年
- 利用ADS完成了900MHz低噪声放大器的设计。该文重点分析了偏置电路的设计和稳定性的分析。另外对微带线的高频寄生效应等进行了分析,并针对这些因素利用ADS进行了电磁场仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF35143器件设计,达到了预定的技术指标。
- 周鹏飞程知群李进张胜徐胜军
- 关键词：低噪声放大器噪声系数阻抗匹配
- 应用于UHF RFID阅读器中低相位噪声LC VCO设计被引量：1
- 2010年
- 设计了一种应用于860~960MHz UHF RFID阅读器低相位噪声的CMOS LC压控振荡器.电路经过一个SCL结构的1/2分频器输出四相正交信号.电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺库和Cadence SpectreRF仿真器.仿真结果表明：VCO在分频前,实现了调频范围为1620~2020MHz;在振荡频率为1.8GHz时,相位噪声为-127.5dBc/Hz@1MHz;VCO经过2分频电路后,实现了调频范围为810~1010MHz;在频率900MHz,其相位噪声-133.5dBc/Hz@1MHz.
- 程知群周云芳傅开红李进周霄鹏
- 关键词：RFID阅读器LC振荡器低相位噪声正交输出
- 应用于无线通信射频前端电路及混合集成接收机研究
- 近年来,射频/(RF/)无线通信技术的迅速发展增加了人们对低电压高性能射频前端的需求,无线通讯系统中的关键模块-RFIC成为当前的研究热点,如:蜂窝式个人通信与基站、无线接入系统、卫星通信、全球卫星定位系统、无线局域网等...
- 李进
- 关键词：射频前端电路低噪声放大器混频器CMOS工艺UHF接收机
- 文献传递
- 采用DGS降低相位噪声和提高输出功率的倒扣集成振荡器(英文)被引量：1
- 2008年
- 设计了一种新型的缺陷接地结构（DGS）并将之应用到倒扣集成毫米波振荡器中．分析并比较了具有DGS结构和没有DGS结构的两种振荡器性能．测试数据显示具有DGS结构的振荡器与没有DGS结构的振荡器相比，相位噪声降低4—6dB，输出功率增加0．8dBm．研究结果表明DGS结构嵌入到振荡器的谐振电路和输出端时，振荡器的相位噪声降低且输出功率增大．
- 程知群李进毛祥根谭松陈敬
- 关键词：缺陷接地结构相位噪声输出功率振荡器
- 增益可调宽带CMOS低噪声放大器设计
- 2010年
- 设计了一种应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器。电路中采用了二阶巴特沃斯滤波器作为输入和输出匹配电路;采用了两级共源共栅结构实现电路的放大,并通过控制第二级的电流,实现了在宽频带范围内增益连续可调;采用了多栅管（MGTR）,提高了电路的线性度;设计基于SMIC 0.18μm CMOS工艺。仿真结果显示,在频带3~5 GHz的范围内最高增益17 dB,增益波动小于1.8 dB,输入和输出端口反射系数分别小于-10 dB和-14 dB,噪声系数nf小于3.5 dB,当控制电压Vctrl=1.4 V时,IIP3约为2 dBm,电路功耗为16 mW。
- 程知群傅开红李进周云芳
- 关键词：增益可调
- 宽带无线通信射频收发前端设计被引量：11
- 2010年
- 介绍了一种宽带无线通信系统(BWCS)。提出了一种应用于该系统TDD模式射频(RF)子系统设计方案,并对RF子系统进行了分析。研制出射频子系统电路,给出了测试结果。测试结果表明研制的RF子系统各项指标都满足宽带通信系统的设计要求。
- 程知群张胜李进周鹏飞
- 关键词：时分双工宽带无线通信射频系统超外差
- 一种高增益低噪声CMOS混频器设计被引量：1
- 2009年
- 设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益。采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺设计,在本振(LO)信号的频率为1.571GHz,射频(RF)信号频率为1.575GHz时,混频器的增益为17.5dB,噪声系数(NF)为8.35dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6dBm。混频器工作电压1.8V,直流电流为8.8mA,版图总面积为0.63mm×0.78mm。
- 程知群李进傅开红朱雪芳高俊君
- 关键词：高增益低噪声混频器电流注入
- 基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究
- 2009年
- 设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声。电路设计采用SMIC0.18μmCMOS工艺。仿真结果表明:在工作电压为1.8V时,直流功耗为9mW,压控振荡器的频率范围870～1500MHz(53%),调谐增益在67MHz/V至72MHz/V之间。相位噪声优于-100dBc/Hz@100kHz。
- 程知群傅开红李进周云芳
- 关键词：CMOS宽带压控振荡器开关电容阵列相位噪声
