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张胜

作品数:10 被引量:17H指数:2
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院教育部射频电路与系统重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇射频
  • 2篇时分双工
  • 2篇势垒
  • 2篇双工
  • 2篇通信
  • 2篇外差
  • 2篇无线
  • 2篇无线通信
  • 2篇线性度
  • 2篇跨导
  • 2篇宽带
  • 2篇宽带无线
  • 2篇宽带无线通信
  • 2篇缓冲层
  • 2篇隔离层
  • 2篇放大器
  • 2篇超外差
  • 1篇单通
  • 1篇单通道
  • 1篇低相位噪声

机构

  • 10篇杭州电子科技...

作者

  • 10篇张胜
  • 9篇程知群
  • 3篇胡莎
  • 3篇周伟坚
  • 3篇李进
  • 3篇周肖鹏
  • 2篇徐胜军
  • 2篇闫晓鑫
  • 2篇周云芳
  • 2篇周鹏飞
  • 2篇程斌
  • 1篇傅开红

传媒

  • 2篇杭州电子科技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2012
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种氮化镓高电子迁移率晶体管
本实用新型涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管。本实用新型包括基底,基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层和帽层,晶体管的栅极、源极和漏极位于帽层上,缓冲层为厚度是2.5μm的GaN,插入层为厚度是4nm的Al<...
程知群周肖鹏张胜周伟坚胡莎
文献传递
基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器被引量:2
2009年
设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。
程知群李进傅开红周云芳徐胜军张胜
关键词:电流注入闪烁噪声增益
900MHz低噪声放大器的分析与设计
2009年
利用ADS完成了900MHz低噪声放大器的设计。该文重点分析了偏置电路的设计和稳定性的分析。另外对微带线的高频寄生效应等进行了分析,并针对这些因素利用ADS进行了电磁场仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF35143器件设计,达到了预定的技术指标。
周鹏飞程知群李进张胜徐胜军
关键词:低噪声放大器噪声系数阻抗匹配
低相位噪声毫米波平面振荡器研究
2008年
设计了一种低相位噪声毫米波平面振荡器电路,采用在振荡器谐振端嵌入缺陷接地结构(DGS)方法来改善振荡器的相位噪声;同时在振荡器混合集成中采用了芯片倒扣技术减小寄生效应。分析并比较了嵌入和未嵌入DGS结构两种振荡器电路的性能。测试结果表明,嵌入DGS结构的振荡器相位噪声比未嵌入的降低了5 dB^7 dB。
程知群周云芳张胜
关键词:缺陷接地结构相位噪声毫米波振荡器
提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法
本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法。本发明方法在常规结构AlxGa1-xN/GaN的隔离层AlxGa1-xN与缓冲层GaN之间插入Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-y</Sub>N插入层,形成...
程知群周肖鹏张胜周伟坚胡莎
文献传递
1.95GHz功率放大器设计
本文采用ADS软件设计中心频率1.95GHz两级功率放大器。给出了射频功率放大器的设计方法和过程。用负载牵引法(LoadPull)获得输出端的最佳匹配阻抗,并对功率附加效率、输出功率、增益等进行了仿真。仿真结果表明:该放...
程斌程知群张胜闫晓鑫
关键词:功率放大器输出功率ADS软件
宽带无线通信系统射频收发前端研究
近年来,宽带短距离无线通信技术成为全球通信领域研究的热点技术,无线局域网(WLAN)和无线个域网(WPAN)等概念掀起了短距离无线通信的研究高潮。宽带无线通信技术由于具有传输速率高、可与其它无线通信方式共享频带资源、系统...
张胜
关键词:宽带无线通信时分双工超外差无线局域网无线个域网
文献传递
高线性度Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管优化设计
2010年
对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了器件的层结构参数对器件性能的影响.结合理论分析和仿真结果确定了器件的最佳外延层结构Al0.31Ga0.69N/Al0.04Ga0.96N/GaNHEMT.对栅长1μm,栅宽100μm的器件仿真表明,器件的最大跨导为300mS/mm,且在栅极电压-2—1V的宽范围内跨导变化很小,表明器件具有较好的线性度;器件的最大电流密度为1300mA/mm,特征频率为11.5GHz,最大振荡频率为32.5GHz.
程知群周肖鹏胡莎周伟坚张胜
关键词:ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管复合沟道
单通道TD-SCDMA射频拉远单元
2012年
该文设计了一种单通道TD-SCDMA射频拉远单元。首先根据系统要达到的性能指标要求,设计了系统拓扑结构,接着从该系统拓扑结构出发,分析了整个系统的设计思路及实现方案,选择相应的电路模块。测试结果表明设计的系统达到了预期的指标,临近通道功率比小于-40.64 dBc和误差向量幅度为5.08%rms。
程斌程知群张胜闫晓鑫
关键词:单通道射频拉远单元
宽带无线通信射频收发前端设计被引量:11
2010年
介绍了一种宽带无线通信系统(BWCS)。提出了一种应用于该系统TDD模式射频(RF)子系统设计方案,并对RF子系统进行了分析。研制出射频子系统电路,给出了测试结果。测试结果表明研制的RF子系统各项指标都满足宽带通信系统的设计要求。
程知群张胜李进周鹏飞
关键词:时分双工宽带无线通信射频系统超外差
共1页<1>
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