周肖鹏
- 作品数：9 被引量：2H指数：1
- 供职机构：杭州电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法
- 本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法。本发明方法采用了非掺杂势垒层Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>N，用AlN作隔离层，并在AlN缓冲层GaN之间插入一层低Al组分y的...
- 程知群周肖鹏周伟坚胡莎
- 文献传递
- 一种氮化镓高电子迁移率晶体管
- 本实用新型涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管。本实用新型包括基底，基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层和帽层，晶体管的栅极、源极和漏极位于帽层上，缓冲层为厚度是2.5μm的GaN，插入层为厚度是4nm的Al<...
- 程知群周肖鹏张胜周伟坚胡莎
- 文献传递
- 高线性度Al/_xGa/_/(1-x/)N//Al/_yGa/_/(1-y/)N//GaNHEMT研究
- 近几十年来,全球无线通信产业发展迅速。无论在军事还是民用领域中的应用,都对射频器件的要求越来越高。而一直作为主导的第一代半导体材料硅,在很长的时间里都起着极其重要的作用,但是随着通信系统对器件的性能要求的提高,硅基器件的...
- 周肖鹏
- 关键词：复合沟道高线性度
- 文献传递
- 一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器(英文)被引量：2
- 2008年
- 设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器，采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N／Al0.05Ga0.95N／GaNHEMT（CC-HEMT）。给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果。测试结果显示低噪声分布式放大器在2～10GHz频率范围内，输入和输出端口驻波比均小于2．0，相关增益大于7．0dB，带内增益波纹小于1dB．在2～6GHz频率范围内，噪声系数小于5dB；在2～10GHz频率范围内，噪声系数小于6．5dB；测试结果与仿真结果较吻合。
- 程知群周肖鹏陈敬
- 关键词：低噪声分布式放大器复合沟道GANHEMTS
- 提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法
- 本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法。本发明方法在常规结构AlxGa1－xN/GaN的隔离层AlxGa1－xN与缓冲层GaN之间插入Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1－y</Sub>N插入层，形成...
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- 文献传递
- 一种实现增强型AlGaN/GaN HEMT新方法
- 介绍一种实现高性能增强型AlGaN/GaNAlGaN/GaN HEMT的新的方法。该方法是对AlGaN/GaN HEMT的栅极进行氟离子处理,并在500℃的温度下进行快速退火.本中给出了详细工艺实现过程和工艺参数.实验结...
- 程知群周肖鹏孙玲玲
- 关键词：等离子处理微波集成电路
- 文献传递
- 一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管
- 本实用新型涉及一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管。传统技术无法满足高功率器件的要求。本实用新型器件包括基底，基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层，晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上。其中基底为蓝宝石、...
- 程知群胡莎周肖鹏周伟坚
- 文献传递
- 提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法
- 本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法。本发明方法采用了非掺杂势垒层Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N，用AlN作隔离层，并在AlN缓冲层GaN之间插入一层低Al组分y的...
- 程知群周肖鹏周伟坚胡莎
- 文献传递
- 高线性度Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管优化设计
- 2010年
- 对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了器件的层结构参数对器件性能的影响.结合理论分析和仿真结果确定了器件的最佳外延层结构Al0.31Ga0.69N/Al0.04Ga0.96N/GaNHEMT.对栅长1μm,栅宽100μm的器件仿真表明,器件的最大跨导为300mS/mm,且在栅极电压-2—1V的宽范围内跨导变化很小,表明器件具有较好的线性度;器件的最大电流密度为1300mA/mm,特征频率为11.5GHz,最大振荡频率为32.5GHz.
- 程知群周肖鹏胡莎周伟坚张胜
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管复合沟道
