胡莎
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院教育部射频电路与系统重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法
- 本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法。本发明方法采用了非掺杂势垒层Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>N，用AlN作隔离层，并在AlN缓冲层GaN之间插入一层低Al组分y的...
- 程知群周肖鹏周伟坚胡莎
- 文献传递
- 一种氮化镓高电子迁移率晶体管
- 本实用新型涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管。本实用新型包括基底，基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层和帽层，晶体管的栅极、源极和漏极位于帽层上，缓冲层为厚度是2.5μm的GaN，插入层为厚度是4nm的Al<...
- 程知群周肖鹏张胜周伟坚胡莎
- 文献传递
- 亚微米线性AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN HEMT研究与建模
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)由于其高击穿电压和高频性能成为下一代无线基站及军事应用中功率放大器具有潜力的器件。从第一只AlGaN/GaN HEMT问世至今, AlGaN/GaN HEMT在DC和RF性...
- 胡莎
- 关键词：复合沟道亚微米大信号模型
- 应用于微波通信系统新型器件GaN HEMT研究被引量：3
- 2010年
- 通过自洽求解一维泊松方程,计算了应用于微波通信系统的非故意掺杂AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的外延层结构参数对器件的二维电子气(2DEG)浓度,跨导等性能的影响。通过理论分析并结合TCAD软件最终确定AlGaN/AlN/GaNHEMT的最佳外延层结构。对栅长0.3μm和栅宽100μm的器件仿真结果表明,器件的最大跨导为418mS/mm,器件的最大电流密度为2300mA/mm,性能良好。
- 胡莎程知群
- 关键词：ALGAN/ALN/GANHEMT
- 提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法
- 本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法。本发明方法在常规结构AlxGa1－xN/GaN的隔离层AlxGa1－xN与缓冲层GaN之间插入Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1－y</Sub>N插入层，形成...
- 程知群周肖鹏张胜周伟坚胡莎
- 文献传递
- 一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管
- 本实用新型涉及一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管。传统技术无法满足高功率器件的要求。本实用新型器件包括基底，基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层，晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上。其中基底为蓝宝石、...
- 程知群胡莎周肖鹏周伟坚
- 文献传递
- 提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法
- 本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法。本发明方法采用了非掺杂势垒层Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N，用AlN作隔离层，并在AlN缓冲层GaN之间插入一层低Al组分y的...
- 程知群周肖鹏周伟坚胡莎
- 文献传递
- 亚微米线性AlxGa1-xN/AIN/AlyGa1-yN/GaN HEMT研究与建模
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)由于其高击穿电压和高频性能成为下一代无线基站及军事应用中功率放大器具有潜力的器件。从第一只AlGaN/GaN HEMT问世至今,AlGaN/GaN HEMT在DC和RF性能...
- 胡莎
- 关键词：ALGAN/GAN复合沟道信号模型
- 文献传递
- 高线性度Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管优化设计
- 2010年
- 对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了器件的层结构参数对器件性能的影响.结合理论分析和仿真结果确定了器件的最佳外延层结构Al0.31Ga0.69N/Al0.04Ga0.96N/GaNHEMT.对栅长1μm,栅宽100μm的器件仿真表明,器件的最大跨导为300mS/mm,且在栅极电压-2—1V的宽范围内跨导变化很小,表明器件具有较好的线性度;器件的最大电流密度为1300mA/mm,特征频率为11.5GHz,最大振荡频率为32.5GHz.
- 程知群周肖鹏胡莎周伟坚张胜
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管复合沟道
- 新型结构的HEMT优化设计被引量：1
- 2012年
- 该文通过对HEMT物理模型的分析及对之前所设计的HEMT结构的总结,利用TCAD进行仿真,分析了器件中2DEG电子浓度和电子迁移率以及栅漏电流随In含量的变化规律。提出了一种新型结构Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN/In0.1Ga0.9N/GaN HEMT,并对栅长0.25μm和栅宽100μm的器件进行了优化设计,器件的栅压为1V时,阈值电压-5.3V,最大漏电流为2 220mA/mm,获得最大跨导为440mS/mm,且在-3.5～-0.5V范围内跨导变化量很小,说明优化后的器件具有良好的线性度。
- 刘剑程知群胡莎周伟坚
- 关键词：二维电子气跨导复合沟道
