朱兴文
- 作品数：10 被引量：34H指数：4
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金上海市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 铌镁酸铋钛酸铅压电陶瓷准同型相界附近的性能和相变温度研究被引量：1
- 2012年
- 利用传统固相烧结法制备了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(BMN-PT)压电陶瓷,分析了不同PbTiO3含量对BMN-PT压电陶瓷的晶体结构、介电、压电及铁电性能的影响.XRD结果表明:合成的BMN-PT陶瓷具有纯钙钛矿结构,并且在PbTiO3含量为x=0.60时,其组分的XRD图谱在衍射角2θ=45°出现明显的分峰,说明该组分相结构中存在三方和四方相的共存.压电铁电性能显示,BMN-0.60PT有最大的压电常数d33(～170pC/N)和平面机电耦合系数kp(0.35),最小的矫顽场Ec(29.4 kV/cm)及最大的剩余极化Pr(31.4μC/cm2).确定了BMN-PT压电陶瓷的准同型相界(MPB)为PbTiO3含量x=0.60的组分.介电系数温谱表明介电系数峰值温度(Tm)随着PbTiO3含量的增大而升高,MPB组分的Tm约为276℃.
- 洪琳赵丽艳朱兴文郑嘹赢曾江涛李国荣
- 关键词：准同型相界相变温度
- [101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究被引量：11
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律．结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560～580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰．
- 朱兴文李勇强陆液李英伟夏义本
- 关键词：ZNO薄膜PL谱
- 零维钙钛矿结构Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)单晶的生长和X射线探测性能被引量：2
- 2021年
- 金属卤化物低维钙钛矿具有高效的发光性能,并且作为闪烁体在辐射探测领域表现出极大的潜力。本文采用布里奇曼坩埚下降法生长出全无机零维钙钛矿结构Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)单晶。研究了Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)的光学吸收、光致激发和发射,时间分辨光致发光和以及X射线探测性能。Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)晶体结构为正交晶系,空间群为Pnma。在X射线激发下,Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)晶体具有峰值约为467 nm的宽带发射,该发射来自自陷激子发射。Cs_(3)Cu_(2)Br_(5)的稳态光产额约为4000 ph./MeV,且X射线余辉性能表现与BGO晶体相当。
- 王谦王京康成双良任国浩朱兴文吴云涛
- 关键词：坩埚下降法X射线探测
- sol-gel法制备(002)高度定向的Li:ZnO薄膜被引量：6
- 2005年
- 用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3～9层制备氧化锌薄膜.用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响.结果表明,溶胶中掺入一定量的Li可显著地促进ZnO沿(002)生长;浓度为0.45mol/L旋涂3层或浓度为0.25mol/L旋涂7层的样品,即使有Li的掺入也不能呈现较好的(002)定向性,这是由于薄膜太薄所致;提高热处理温度至610℃,有利于薄膜(002)高度定向.
- 刘龙春朱兴文陆液
- 关键词：无机非金属材料氧化锌薄膜SOL-GEL法
- LP同质过渡层对ZnO薄膜结构性能的影响被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射法低功率在玻璃衬底上制备低功率(LP)过渡层,再在其上高功率生长ZnO薄膜,研究了LP过渡层对薄膜结构性能的影响。XRD和SEM结果表明,引入LP过渡层后,高射频(RF)功率溅射的ZnO薄膜(002)定向性显著改善。随溅射功率的提高,薄膜(002)定向性有所下降,但致密性明显好转。与无过渡层薄膜相比,在溅射功率分别为30 W和50 W过渡层上生长的薄膜晶粒变大。研究表明,在30 W的LP过渡层上用200 W功率制备的薄膜性能最佳。
- 李勇强朱兴文李英伟马季夏义本
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射法
- 高RF功率制备的ZnO:Li薄膜性能研究
- 2006年
- 实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。该薄膜的光学带隙约3.29 eV,明显低于低功率溅射的薄膜(3.44 eV)。其室温光致发光(PL)谱结果显示,最强峰是由Li杂质能级引起的399 nm峰,热处理后,370 nm的带间发光峰增强,而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似。
- 朱兴文李勇强陆液李英伟夏义本
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射法
- 多步磁控溅射法制备ZnO薄膜被引量：1
- 2010年
- 实验采用射频磁控溅射法,通过多次短时沉积和热处理工艺,以玻璃为衬底在不同射频功率下制备了ZnO薄膜,探讨了射频功率对薄膜结构、光及电性能等方面的影响。结果表明,在低于300 W的功率下,采用多步法制备的薄膜表面平整致密,晶粒均匀,具有良好的c轴定向。且薄膜的可见光透过率在80%以上,电阻率达到1010Ω.cm。
- 马季朱兴文徐琼张芳
- 关键词：ZNO薄膜多步法
- 不同择优取向的ZnO薄膜的制备被引量：8
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在载玻片上制备了不同择优取向的ZnO薄膜。结果表明，溅射功率在100～380W范围内制备的ZnO薄膜呈（101）择优取向性，当功率上升至550W时，薄膜则为（100）取向；基片温度升高有利于（002）面的生长，当基片温度为250℃时，在溅射功率为200W时即可制得（002）面择优取向的薄膜。热处理温度的提高有助于（100）和（101）面的择优取向，而对（002）面的取向不利。同时，该文对ZnO薄膜不同择优取向生长的机制进行了探讨。
- 陆液李勇强朱兴文
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射
- Li、Mg掺杂ZnO薄膜PL特性研究被引量：5
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Li、Mg掺杂的ZnO薄膜，研究了薄膜的光致发光（PL）性能。结果表明，由氧缺位引起的深能级发光峰（450～470nm）的强度随Li和Mg掺杂量的增加而下降。Mg的添加会使薄膜的带边发射（NBE）增强，而Li的掺杂抑制了NBE峰，同时引发403nm的Li杂质能级峰，该能级位于价带顶0．29eV处。
- 朱兴文李英伟李勇强陆液夏义本
- 关键词：ZNO薄膜
- Na^+掺杂ZnO薄膜的结构和电学性能被引量：3
- 2007年
- 以醋酸锌为溶质、碳酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法在Si〈100〉衬底上制备了钠掺杂ZnO薄膜,掺杂浓度分别为0,0.018,0.036,0.045,0.063和0.09 mol/L。研究了钠掺杂后ZnO晶胞尺寸和表面形貌的变化规律,用霍尔效应仪测试了试样的载流子浓度及导电类型,分析了材料的拉曼光谱与试样内部缺陷浓度的关系。结果表明:Na+离子可进入ZnO晶格取代Zn2+,导致晶胞变大,同时ZnO薄膜由n-型转变为p-型导电;当Na+掺杂浓度达0.045 mol/L时,其电阻率为75.7Ω.cm,空穴浓度2.955×1017/cm3。
- 李英伟林春芳周晓朱兴文
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法
