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陆液

作品数:6 被引量:28H指数:4
供职机构:上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金上海市教委科研基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇ZNO薄膜
  • 3篇氧化锌薄膜
  • 3篇溅射
  • 3篇LI
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇溅射法
  • 2篇PL
  • 2篇ZNO
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光

机构

  • 6篇上海大学

作者

  • 6篇陆液
  • 5篇朱兴文
  • 4篇李勇强
  • 3篇夏义本
  • 3篇李英伟
  • 1篇刘龙春

传媒

  • 3篇压电与声光
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究被引量:11
2007年
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律.结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560~580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰.
朱兴文李勇强陆液李英伟夏义本
关键词:ZNO薄膜PL谱
高RF功率制备的ZnO:Li薄膜性能研究
2006年
实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。该薄膜的光学带隙约3.29 eV,明显低于低功率溅射的薄膜(3.44 eV)。其室温光致发光(PL)谱结果显示,最强峰是由Li杂质能级引起的399 nm峰,热处理后,370 nm的带间发光峰增强,而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似。
朱兴文李勇强陆液李英伟夏义本
关键词:ZNO薄膜磁控溅射法
磁控溅射法制备ZnO薄膜
本文采用射频磁控溅射法在载玻片玻璃基片上制备了Li:ZnO薄膜,研究了磁控溅射功率、基片温度、热处理温度、过渡层种类及厚度等工艺参数对ZnO薄膜结构及性能的影响,运用XRD、AFM、SEM、EDS、PL、光学透过率等测试...
陆液
关键词:氧化锌薄膜磁控溅射
文献传递
sol-gel法制备(002)高度定向的Li:ZnO薄膜被引量:6
2005年
用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3~9层制备氧化锌薄膜.用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响.结果表明,溶胶中掺入一定量的Li可显著地促进ZnO沿(002)生长;浓度为0.45mol/L旋涂3层或浓度为0.25mol/L旋涂7层的样品,即使有Li的掺入也不能呈现较好的(002)定向性,这是由于薄膜太薄所致;提高热处理温度至610℃,有利于薄膜(002)高度定向.
刘龙春朱兴文陆液
关键词:无机非金属材料氧化锌薄膜SOL-GEL法
不同择优取向的ZnO薄膜的制备被引量:8
2007年
采用射频磁控溅射法在载玻片上制备了不同择优取向的ZnO薄膜。结果表明,溅射功率在100~380W范围内制备的ZnO薄膜呈(101)择优取向性,当功率上升至550W时,薄膜则为(100)取向;基片温度升高有利于(002)面的生长,当基片温度为250℃时,在溅射功率为200W时即可制得(002)面择优取向的薄膜。热处理温度的提高有助于(100)和(101)面的择优取向,而对(002)面的取向不利。同时,该文对ZnO薄膜不同择优取向生长的机制进行了探讨。
陆液李勇强朱兴文
关键词:氧化锌薄膜磁控溅射
Li、Mg掺杂ZnO薄膜PL特性研究被引量:5
2006年
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Li、Mg掺杂的ZnO薄膜,研究了薄膜的光致发光(PL)性能。结果表明,由氧缺位引起的深能级发光峰(450~470nm)的强度随Li和Mg掺杂量的增加而下降。Mg的添加会使薄膜的带边发射(NBE)增强,而Li的掺杂抑制了NBE峰,同时引发403nm的Li杂质能级峰,该能级位于价带顶0.29eV处。
朱兴文李英伟李勇强陆液夏义本
关键词:ZNO薄膜
共1页<1>
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