陆液
- 作品数：6 被引量：28H指数：4
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- [101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究被引量：11
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律．结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560～580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰．
- 朱兴文李勇强陆液李英伟夏义本
- 关键词：ZNO薄膜PL谱
- 高RF功率制备的ZnO:Li薄膜性能研究
- 2006年
- 实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。该薄膜的光学带隙约3.29 eV,明显低于低功率溅射的薄膜(3.44 eV)。其室温光致发光(PL)谱结果显示,最强峰是由Li杂质能级引起的399 nm峰,热处理后,370 nm的带间发光峰增强,而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似。
- 朱兴文李勇强陆液李英伟夏义本
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射法
- 磁控溅射法制备ZnO薄膜
- 本文采用射频磁控溅射法在载玻片玻璃基片上制备了Li：ZnO薄膜，研究了磁控溅射功率、基片温度、热处理温度、过渡层种类及厚度等工艺参数对ZnO薄膜结构及性能的影响，运用XRD、AFM、SEM、EDS、PL、光学透过率等测试...
- 陆液
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射
- 文献传递
- sol-gel法制备(002)高度定向的Li:ZnO薄膜被引量：6
- 2005年
- 用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3～9层制备氧化锌薄膜.用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响.结果表明,溶胶中掺入一定量的Li可显著地促进ZnO沿(002)生长;浓度为0.45mol/L旋涂3层或浓度为0.25mol/L旋涂7层的样品,即使有Li的掺入也不能呈现较好的(002)定向性,这是由于薄膜太薄所致;提高热处理温度至610℃,有利于薄膜(002)高度定向.
- 刘龙春朱兴文陆液
- 关键词：无机非金属材料氧化锌薄膜SOL-GEL法
- 不同择优取向的ZnO薄膜的制备被引量：8
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在载玻片上制备了不同择优取向的ZnO薄膜。结果表明，溅射功率在100～380W范围内制备的ZnO薄膜呈（101）择优取向性，当功率上升至550W时，薄膜则为（100）取向；基片温度升高有利于（002）面的生长，当基片温度为250℃时，在溅射功率为200W时即可制得（002）面择优取向的薄膜。热处理温度的提高有助于（100）和（101）面的择优取向，而对（002）面的取向不利。同时，该文对ZnO薄膜不同择优取向生长的机制进行了探讨。
- 陆液李勇强朱兴文
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射
- Li、Mg掺杂ZnO薄膜PL特性研究被引量：5
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Li、Mg掺杂的ZnO薄膜，研究了薄膜的光致发光（PL）性能。结果表明，由氧缺位引起的深能级发光峰（450～470nm）的强度随Li和Mg掺杂量的增加而下降。Mg的添加会使薄膜的带边发射（NBE）增强，而Li的掺杂抑制了NBE峰，同时引发403nm的Li杂质能级峰，该能级位于价带顶0．29eV处。
- 朱兴文李英伟李勇强陆液夏义本
- 关键词：ZNO薄膜
