李勇强
- 作品数：6 被引量：22H指数：3
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- [101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究被引量：11
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律．结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560～580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰．
- 朱兴文李勇强陆液李英伟夏义本
- 关键词：ZNO薄膜PL谱
- 高RF功率制备的ZnO:Li薄膜性能研究
- 2006年
- 实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。该薄膜的光学带隙约3.29 eV,明显低于低功率溅射的薄膜(3.44 eV)。其室温光致发光(PL)谱结果显示,最强峰是由Li杂质能级引起的399 nm峰,热处理后,370 nm的带间发光峰增强,而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似。
- 朱兴文李勇强陆液李英伟夏义本
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射法
- 射频磁控溅射法制备ZnO薄膜及其性能研究
- 直接宽禁带半导体材料ZnO是第三代半导体材料的典型代表，其薄膜材料在光电、压电、气敏传感器、集成光学、透明导电薄膜等领域具有广阔的应用。本文采用RF磁控溅射法在玻璃和Si(111)衬底上制备ZnO薄膜，并对薄膜的结构性质...
- 李勇强
- 关键词：ZNO薄膜电阻率拉曼光谱
- 文献传递
- LP同质过渡层对ZnO薄膜结构性能的影响被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射法低功率在玻璃衬底上制备低功率(LP)过渡层,再在其上高功率生长ZnO薄膜,研究了LP过渡层对薄膜结构性能的影响。XRD和SEM结果表明,引入LP过渡层后,高射频(RF)功率溅射的ZnO薄膜(002)定向性显著改善。随溅射功率的提高,薄膜(002)定向性有所下降,但致密性明显好转。与无过渡层薄膜相比,在溅射功率分别为30 W和50 W过渡层上生长的薄膜晶粒变大。研究表明,在30 W的LP过渡层上用200 W功率制备的薄膜性能最佳。
- 李勇强朱兴文李英伟马季夏义本
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射法
- Li、Mg掺杂ZnO薄膜PL特性研究被引量：5
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Li、Mg掺杂的ZnO薄膜，研究了薄膜的光致发光（PL）性能。结果表明，由氧缺位引起的深能级发光峰（450～470nm）的强度随Li和Mg掺杂量的增加而下降。Mg的添加会使薄膜的带边发射（NBE）增强，而Li的掺杂抑制了NBE峰，同时引发403nm的Li杂质能级峰，该能级位于价带顶0．29eV处。
- 朱兴文李英伟李勇强陆液夏义本
- 关键词：ZNO薄膜
- 不同择优取向的ZnO薄膜的制备被引量：8
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在载玻片上制备了不同择优取向的ZnO薄膜。结果表明，溅射功率在100～380W范围内制备的ZnO薄膜呈（101）择优取向性，当功率上升至550W时，薄膜则为（100）取向；基片温度升高有利于（002）面的生长，当基片温度为250℃时，在溅射功率为200W时即可制得（002）面择优取向的薄膜。热处理温度的提高有助于（100）和（101）面的择优取向，而对（002）面的取向不利。同时，该文对ZnO薄膜不同择优取向生长的机制进行了探讨。
- 陆液李勇强朱兴文
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射
