- 一种高度电荷平衡超结器件的制作方法
- 本发明涉及一种高度电荷平衡超结器件的制作方法，属于半导体器件的制备方法，制备超结器件，将超结器件的一端与测试设备相连，测试设备检测超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量，根据超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量...
- 张文亮朱阳军王波褚为利谈景飞陈宏
- 文献传递
- 一种高压超结IGBT的制作方法
- 本发明公开了一种高压超结IGBT的制作方法，包括如下步骤：分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；将硅片正面抛光，然后用酸液处理；将处理过的两硅片精确对准...
- 王波朱阳军卢烁今胡爱斌
- 文献传递
- 一种高压超结IGBT的制作方法
- 本发明公开了一种高压超结IGBT的制作方法，包括如下步骤：分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；将硅片正面抛光，然后用酸液处理；将处理过的两硅片精确对准...
- 王波朱阳军卢烁今胡爱斌
- 文献传递
- 一种高压超结终端结构
- 本发明提供了一种高压超结终端结构，包括由间隔分布的P+,N‑,N+柱构成的超结区和拥有金属场板和SIPOS场板的终端表面结构，所述超结区和终端表面结构之间有一层P‑层，所述终端表面结构由下到上依次淀积有高阻SIPOS层、...
- 王波朱阳军胡爱斌卢烁今
- 文献传递
- 一种新型FS-CIGBT器件设计及仿真
- 2013年
- 由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-CIGBT)器件结构与普通IGBT器件结构相比,增加了一层p阱及n阱的结构,因此会产生电势的自钳位效应,保护器件正面结构,防止出现高压失效现象,提高器件的可靠性,同时会降低器件的正向导通压降以及开关损耗。鉴于新结构器件的优势,借助仿真软件Sentaurus TCAD,设计了新型FS-CIGBT器件的各项结构参数以及工艺制造流程,并仿真模拟了其各项电学特性参数。仿真得到FS-CIGBT的击穿电压为8 129 V,在额定电流密度25 A/cm2条件下,导通压降为3.6 V,器件关断损耗为103 mJ/cm2,且各项特性参数均优于普通结构的IGBT器件的特性。
- 谈景飞王波朱阳军
- 关键词：仿真电学特性
- 一种高度电荷平衡超结器件的制作方法
- 本发明涉及一种高度电荷平衡超结器件的制作方法，属于半导体器件的制备方法，制备超结器件，将超结器件的一端与测试设备相连，测试设备检测超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量，根据超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量...
- 张文亮朱阳军王波褚为利谈景飞陈宏
- 文献传递
- 一种高压超结终端结构
- 本发明提供了一种高压超结终端结构，包括由间隔分布的P+,N-,N+柱构成的超结区和拥有金属场板和SIPOS场板的终端表面结构，所述超结区和终端表面结构之间有一层P-层，所述终端表面结构由下到上依次淀积有高阻SIPOS层、...
- 王波朱阳军胡爱斌卢烁今
- 文献传递
- IGBT器件及其制作方法
- 本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整...
- 谈景飞朱阳军王波张文亮褚为利
- 文献传递
- IGBT器件及其制作方法
- 本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整...
- 谈景飞朱阳军王波张文亮褚为利
- 文献传递
- 一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法
- 本发明公开了一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法，属于半导体设备技术领域，通过中子嬗变掺杂将中子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧或者通过光致嬗变掺杂将光子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧，通过精确控制中子或光子的辐...
- 张文亮朱阳军陆江谈景飞褚为利王波
- 文献传递
