谈景飞
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种高度电荷平衡超结器件的制作方法
- 本发明涉及一种高度电荷平衡超结器件的制作方法，属于半导体器件的制备方法，制备超结器件，将超结器件的一端与测试设备相连，测试设备检测超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量，根据超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量...
- 张文亮朱阳军王波褚为利谈景飞陈宏
- 文献传递
- 一种新型FS-CIGBT器件设计及仿真
- 2013年
- 由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-CIGBT)器件结构与普通IGBT器件结构相比,增加了一层p阱及n阱的结构,因此会产生电势的自钳位效应,保护器件正面结构,防止出现高压失效现象,提高器件的可靠性,同时会降低器件的正向导通压降以及开关损耗。鉴于新结构器件的优势,借助仿真软件Sentaurus TCAD,设计了新型FS-CIGBT器件的各项结构参数以及工艺制造流程,并仿真模拟了其各项电学特性参数。仿真得到FS-CIGBT的击穿电压为8 129 V,在额定电流密度25 A/cm2条件下,导通压降为3.6 V,器件关断损耗为103 mJ/cm2,且各项特性参数均优于普通结构的IGBT器件的特性。
- 谈景飞王波朱阳军
- 关键词：仿真电学特性
- 一种高度电荷平衡超结器件的制作方法
- 本发明涉及一种高度电荷平衡超结器件的制作方法，属于半导体器件的制备方法，制备超结器件，将超结器件的一端与测试设备相连，测试设备检测超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量，根据超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量...
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- IGBT器件及其制作方法
- 本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整...
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- 一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法
- 本发明公开了一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法，属于半导体设备技术领域，通过中子嬗变掺杂将中子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧或者通过光致嬗变掺杂将光子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧，通过精确控制中子或光子的辐...
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- 一种IGBT器件及其制作方法
- 本发明公开了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件包括：基底，所述基底包括漂移区；位于所述基底正面的栅极结构和源极结构，所述源极结构包括位于所述漂移区表面内的阱区，以及位于所述阱区表面内的源区；位于所述漂移区表面...
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- IGBT器件及其制作方法
- 本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整...
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- IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法
- 本发明公开了一种IGBT及其元胞结构，和IGBT形成方法，其中，所述元胞结构包括：第一漂移区和位于第一漂移区下表面的第二漂移区，第一漂移区与第二漂移区的掺杂类型和浓度均相同；至少一个位于第一漂移区和第二漂移区之间的掺杂区...
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