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褚为利

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇场限环
  • 7篇终端结构
  • 7篇半导体
  • 6篇终端
  • 5篇终端区
  • 5篇晶体管
  • 5篇绝缘栅
  • 5篇功率器件
  • 4篇IGBT器件
  • 4篇衬底
  • 3篇载流子
  • 3篇栅极
  • 3篇栅极结构
  • 3篇施主
  • 3篇闩锁
  • 3篇金属
  • 3篇发射极
  • 3篇半导体功率器...
  • 3篇掺杂
  • 2篇单晶

机构

  • 24篇中国科学院微...
  • 18篇江苏中科君芯...
  • 13篇江苏物联网研...
  • 5篇上海联星电子...

作者

  • 24篇褚为利
  • 6篇朱阳军
  • 5篇张文亮
  • 5篇王波
  • 5篇谈景飞
  • 2篇陈宏
  • 1篇卢烁今
  • 1篇田晓丽
  • 1篇吴振兴
  • 1篇陆江

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 10篇2014
  • 5篇2013
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种适用于dummy-trench功率器件的版图
本实用新型涉及版图技术领域，公开了一种适用于dummy-trench功率器件的版图包括：dummy栅极结构刻蚀窗口、trench栅极结构刻蚀窗口、源极金属刻蚀窗口、dummy栅极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口...
褚为利朱阳军胡爱斌赵佳喻巧群田晓丽
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一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法
本发明提供了一种终端与有源区形成弱电连接的结构，包括衬底结构、场限环结构、钝化层、基区结构、发射区结构、多晶硅栅结构、覆盖有源区的金属电极、通过氧化层开孔与主结和第一级场限环连接的金属电极、及与多晶硅栅结构连接的栅极电极...
褚为利朱阳军田晓丽赵佳
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一种半导体器件
本实用新型的实施例公开了一种半导体器件，包括：基底，该基底包括本体层；位于本体层表面内的主结和场限环，主结的深度大于场限环的深度。本实用新型实施例提供的半导体器件通过在不同的光刻步骤下，先后形成主结和场限环，并使主结结深...
褚为利朱阳军吴振兴卢烁今田晓丽
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一种有源区金属与终端区形成电连接的版图
本实用新型提供了一种有源区金属与终端区形成电连接的版图，在版图中四条边中部位置或四个拐角位置，有源区的源极金属层和与主结和第一级场限环中间区域连接的金属形成电连接。本实用新型提供的一种实现有源区金属与终端区电连接的芯片版...
褚为利朱阳军吴振兴陆江
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一种半导体功率器件
本实用新型公开了一种半导体功率器件，包括有源区、终端区及位于二者之间的主结，所述终端区包括终端结构，所述有源区包括基区，所述基区、主结、终端结构的掺杂类型相同，所述主结与所述有源区的基区同时形成，所述主结的结深与所述基区...
褚为利朱阳军田晓丽卢烁今陆江
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用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区
本发明公开了用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，包括：在正面结构中，包括衬底、场限环、覆盖场限环的氧化层或者钝化层、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区、IGBT元包的发射极及发射极金属电极，所述场限环的掺杂类型与衬底相反...
褚为利朱阳军田晓丽张文亮陆江
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一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及绝缘栅场效应晶体管技术领域，公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法。该制作方法包括：采用N型SiC单晶材料作为衬底材料，并在SiC的表面外延生长出石墨烯，形成石墨烯导电层；刻蚀石墨烯，并保留栅极下方的元胞区之...
褚为利朱阳军卢烁今胡爱斌
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采用质子辐照制备终端结构的方法
本发明公开了一种采用质子辐照制备终端结构的方法包括：在衬底上制备芯片的主结和P型场限环；在所述形成主结和P型场限环的芯片上制备元包结构；在所述形成元包结构的芯片上淀积金属电极后，通过刻蚀形成阴极；在所述形成阴极的芯片上通...
褚为利朱阳军吴振兴赵佳
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一种高度电荷平衡超结器件的制作方法
本发明涉及一种高度电荷平衡超结器件的制作方法，属于半导体器件的制备方法，制备超结器件，将超结器件的一端与测试设备相连，测试设备检测超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量，根据超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量...
张文亮朱阳军王波褚为利谈景飞陈宏
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一种IGBT器件及其形成方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其形成方法，所述IGBT器件包括：半导体衬底、基区、栅极结构、发射极和集电极。其中，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极结构的水平部分覆盖部...
褚为利朱阳军张文亮王波谈景飞
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