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胡爱斌

作品数：25 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 11篇淀积
  • 9篇半导体
  • 6篇固定电荷
  • 6篇锗
  • 6篇衬底
  • 5篇功率器件
  • 4篇退火
  • 4篇缺陷态
  • 4篇热阻
  • 4篇晶体管
  • 4篇集电极
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇单晶
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇二极管
  • 3篇半导体器件
  • 3篇IGBT
  • 2篇单晶片
  • 2篇导热

机构

  • 25篇中国科学院微...
  • 6篇江苏中科君芯...
  • 4篇上海联星电子...
  • 2篇江苏物联网研...

作者

  • 25篇胡爱斌
  • 8篇徐秋霞
  • 7篇朱阳军
  • 6篇卢烁今
  • 4篇王波
  • 3篇成星
  • 3篇高振鹏
  • 2篇韩郑生
  • 2篇卜建辉
  • 2篇许高博
  • 2篇刘梦新
  • 2篇董少华
  • 1篇陆江

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 8篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种检测IGBT功率器件可靠性的系统和方法
本发明公开了一种检测IGBT功率器件可靠性的系统和方法，属于IGBT功率器件的显微红外检测领域。该方法包括：测量IGBT功率器件在不同栅压下漏压值和漏电流值，计算得到IGBT功率器件的直流稳态功率；通过显微红外热像设备检...
成星胡爱斌高振鹏佘超群
文献传递
部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置(英文)被引量：1
2009年
通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究。模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置,背沟道的最坏偏置与总剂量有关。当总剂量大时,背沟道的最坏偏置是OFF偏置;当总剂量小时则是TG偏置。而NMOSFET的最坏偏置则取决于起主要作用的是正栅还是背栅。由于辐照产生电子空穴对的过程与电场分布强相关,通过分析不同偏置下电场分布的差异确定最坏偏置的内在机制。
卜建辉刘梦新胡爱斌韩郑生
关键词：绝缘体上硅总剂量效应
一种高压超结IGBT的制作方法
本发明公开了一种高压超结IGBT的制作方法，包括如下步骤：分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；将硅片正面抛光，然后用酸液处理；将处理过的两硅片精确对准...
王波朱阳军卢烁今胡爱斌
文献传递
一种高压超结IGBT的制作方法
本发明公开了一种高压超结IGBT的制作方法，包括如下步骤：分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；将硅片正面抛光，然后用酸液处理；将处理过的两硅片精确对准...
王波朱阳军卢烁今胡爱斌
文献传递
一种用于130mm功率器件的结电容测试电路及装置
本实用新型公开了一种本用于130mm功率器件模块的结电容测试电路，属于功率半导体器件结电容测试装置技术领域。该电路包括三个晶体管单元、电源连接点、低电压电流连接点、地电压连接点、电阻、短路电容、电感、第Ⅰ输入电容、第Ⅰ输...
高振鹏朱阳军陆江胡爱斌佘超群成星
文献传递
SOI器件的增强短沟道效应模型
2009年
为了探索SOI器件总剂量辐照后阈值电压漂移量和沟道长度的关系,利用器件模拟软件ISETCAD,对不同沟道长度的PDSOI NMOS管进行了总剂量辐照模拟。模拟结果表明,随着沟道长度的减小,背沟道MOS管阈值电压漂移越来越大,并且漂移量和辐照偏置密切相关,称此效应为SOI器件的增强短沟道效应。以短沟道效应理论为基础对此效应的机理进行了解释,并以短沟道效应模型为基础对此效应提出了一个简洁的阈值电压漂移模型,通过对ISE模拟结果进行曲线拟合对所提出的模型进行了验证。
卜建辉刘梦新胡爱斌韩郑生
关键词：绝缘体上硅总剂量效应沟道长度阈值电压漂移
一种IGBT短路集电极结构的制备方法
本发明公开了一种IGBT短路集电极结构的制备方法，属于功率半导体器件。该方法为：在所IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后，将N-型衬底的背面减薄，并在N-型衬底的背面淀积一层掩蔽层；依次刻蚀部分掩蔽层和N-型衬底，...
胡爱斌朱阳军赵佳吴振兴卢烁今
文献传递
一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法
本发明公开了一种在锗衬底上采用铪硅氧氮介质制备MOS电容的方法，包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜，重复多次淀积多层氮化硅和氮化铪叠层；然后在氮气的氛围中快速热退火；接着通过涂胶、曝光和显影形...
胡爱斌徐秋霞
文献传递
一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法
本发明公开了一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行氧化和刻蚀，形成有源区；在有源区内形成超薄二氧化硅膜；对形成超薄二氧化硅膜的硅片进行钝化处理，使硅片表面的硅原子和硫原子形...
胡爱斌徐秋霞
文献传递
MOSFET迁移率增强技术被引量：1
2007年
随着MOSFET特征尺寸的缩小,载流子的迁移率降低已成为器件性能衰退的主要因素之一,迁移率增强技术因此获得了广泛的研究和应用。衬底诱生应力、工艺诱生应力和采用不同的衬底晶向等三类方法都可以显著提高载流子的迁移率。文章综述了常见的几种迁移率增强技术。
胡爱斌徐秋霞
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