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阎萍

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇砷化镓
  • 1篇区熔
  • 1篇晶片
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇高阻
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅单晶
  • 1篇硅单晶片
  • 1篇厚度
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇二氧化硅薄膜
  • 1篇高寿
  • 1篇硅
  • 1篇掺杂
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇电子工业部

作者

  • 3篇阎萍
  • 2篇李光平
  • 2篇何秀坤
  • 2篇王琴
  • 1篇黄千驷
  • 1篇刘洪飞
  • 1篇汝琼娜

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1991
  • 1篇1989
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
掺杂GaAs中杂质缺陷的研究
1991年
本文利用红外吸收光谱、电子探针和X荧光光谱测量分析了GaAs中In、Cr、Si、Te、12~C、13~C等杂质。讨论了等电子掺杂、多重掺杂及同位素掺杂GaAs’中杂质的占位状态、与本征缺陷的相互作用及对材料均匀性和半绝缘性能的影响,并将部份测量结果与理论计算结果进行了对比研究。
王琴阎萍何秀坤李光平汝琼娜李晓波
关键词：砷化镓掺杂
光学干涉法同时测定二氧化硅薄膜折射率和厚度
1989年
本文利用二氧化硅薄膜的光学干涉效应和可变角度反射测量装置,给出了一种同时测定薄膜折射率和厚度的新方法.薄膜折射率和厚度的测量误差分别小于5%和6%.
何秀坤李光平王琴郑驹阎萍
关键词：二氧化硅厚度
全文增补中
N型高阻高寿区熔硅单晶片研制
刘洪飞阎萍黄千驷
该项目专为军工工程配套制备，探测器件用高性能超高阻高寿硅。该课题采用洁净清洗，防沾污，多次真空提纯，倒置生长单晶，调整热场等多项措施完成了用于探测器件的N型高阻、高寿、高均匀性、高完整性，区熔硅单晶，满足了军工性能指标。
关键词：
关键词：硅单晶片晶体生长
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共1页<1>
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