李光平
- 作品数：16 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中华人民共和国工业和信息化部更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 实用型硅单晶中氧、碳含量自动测量系统
- 实用型硅单晶中氧、碳含量自动测量分析软件是WQF系列付里叶变换红外光谱仪的中文显示专用软件,主要用于硅单晶(直拉硅、区熔硅)中氧、碳含量测量。
- 李光平李静王良汝琼娜何秀坤武惠忠杨学军
- 关键词：自动测量
- 文献传递
- 化合物半导体材料性能表征技术
- 国外在砷化镓材料、器件及材料与器件之间关系的研究方面进展很快.国内有关研究单位在这方面做了一些工作,试图找出材料参数与电路参数之间的对应关系.
- 何秀坤李光平汝琼娜李静
- 关键词：砷化镓半导体材料化合物半导体
- 文献传递
- 用红外光谱吸收法测定未掺杂半绝缘GaAs中碳浓度和电离EL2浓度及其相互关系
- CaAs集成电路要求高质量的半绝缘GaAS作衬底材料。一般认为,未掺杂LEC-GaAs的半绝缘特性是由于深施主EL2与浅受主杂质碳的补偿,EL2和碳是最重要的电活性中心。关于未掺杂半绝缘GaAs中的碳浓度和EL2浓度测量...
- 李光平汝琼娜李静何秀坤杨瑞霞
- 关键词：碳浓度EL2
- 文献传递
- 近代低温FT—IR技术及其在半导体分析中的应用
- 一、低温红外光谱技术及其特点低温技术是研究红外光谱的重要手段之一,低温红外光谱技术在半导体材料的结构、成份分析中有广泛的应用。它比常温测量有许多优点。如,随着温度的降低,半导体中杂质的特征吸收峰光大大减小,吸收峰变锐,峰...
- 李光平何秀坤王琴李晓波阎平汝琼娜郑驹
- 文献传递
- GaAs、GaN的快速扫描光荧光谱表征技术研究
- 本文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL Mapping)在表征砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)材料中的应用,实验结果表明材料晶片的PL Mapping特性与材料制备工艺和器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选...
- 李光平汝琼娜李静何秀坤董彦辉陈祖祥
- 关键词：光荧光谱砷化镓氮化镓半导体材料
- 文献传递
- SI-GaAs材料微区均匀性对门电路器件性能影响
- 随着大规摸集成电路集成度的迅速提高,器件工艺对材料的性能提出了更高的要求,过去的常规参数测量不足以表征GaAs材料质量,材料的微区均匀性已成为限制集成电路发展的重要因素。本文采用了不同的测量手段结合门电路器件工艺,研究了...
- 汝琼娜李光平李静何秀坤
- 文献传递
- 热处理前后SI-GaAg中EL2浓度二维分布的对比研究
- 作为场效应晶体管和集成电路的衬底材料,未掺LEC CaAs电学特性必须具有良好的均匀性,可重复性和稳定性。目前利用热处理方法改善原生未掺LEC SI-GaAs特性还在研究中。EL2是半绝缘GaAs中一种深施主能级,其在晶...
- 汝琼娜李光平何秀坤
- 关键词：分布均匀性EL2
- 文献传递
- 掺杂GaAs中杂质缺陷的研究
- 1991年
- 本文利用红外吸收光谱、电子探针和X荧光光谱测量分析了GaAs中In、Cr、Si、Te、12~C、13~C等杂质。讨论了等电子掺杂、多重掺杂及同位素掺杂GaAs’中杂质的占位状态、与本征缺陷的相互作用及对材料均匀性和半绝缘性能的影响,并将部份测量结果与理论计算结果进行了对比研究。
- 王琴阎萍何秀坤李光平汝琼娜李晓波
- 关键词：砷化镓掺杂
- GaAs、GaN的快速扫描光荧光谱表征技术研究
- 本文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL Mapping)在表征砷化镓(AgAs)和氮化镓(GaN)材料中的应用,实验结果表明材料晶片的PL Mapping特性与材料制备工艺和器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选...
- 李光平汝琼娜李静何秀坤董彦辉陈祖祥
- 关键词：光荧光谱砷化镓氮化镓化合物半导体材料
- 文献传递
- SI-GaAs晶片的PL mapping表征技术被引量：4
- 2000年
- 研究了扫描光致发光光谱 (PLmapping)在表征半绝缘砷化镓 (SI GaAs)材料中的应用 ,实验结果表明SI GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系 ,所以在为制备器件筛选优质的SI GaAS材料时 ,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外 ,PLmapping也是表征材料质量的一个重要参数。
- 李光平汝琼娜李静何秀坤王寿寅陈祖祥
- 关键词：光致发光光谱半绝缘砷化镓
