何秀坤
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
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- 热处理前后SI-GaAg中EL2浓度二维分布的对比研究
- 作为场效应晶体管和集成电路的衬底材料,未掺LEC CaAs电学特性必须具有良好的均匀性,可重复性和稳定性。目前利用热处理方法改善原生未掺LEC SI-GaAs特性还在研究中。EL2是半绝缘GaAs中一种深施主能级,其在晶...
- 汝琼娜李光平何秀坤
- 关键词：分布均匀性EL2
- 文献传递
- 掺杂GaAs中杂质缺陷的研究
- 1991年
- 本文利用红外吸收光谱、电子探针和X荧光光谱测量分析了GaAs中In、Cr、Si、Te、12~C、13~C等杂质。讨论了等电子掺杂、多重掺杂及同位素掺杂GaAs’中杂质的占位状态、与本征缺陷的相互作用及对材料均匀性和半绝缘性能的影响,并将部份测量结果与理论计算结果进行了对比研究。
- 王琴阎萍何秀坤李光平汝琼娜李晓波
- 关键词：砷化镓掺杂
- 近代低温FT—IR技术及其在半导体分析中的应用
- 一、低温红外光谱技术及其特点低温技术是研究红外光谱的重要手段之一,低温红外光谱技术在半导体材料的结构、成份分析中有广泛的应用。它比常温测量有许多优点。如,随着温度的降低,半导体中杂质的特征吸收峰光大大减小,吸收峰变锐,峰...
- 李光平何秀坤王琴李晓波阎平汝琼娜郑驹
- 文献传递
- PL Mapping在SI-GaAs材料与器件性能关系研究中的应用被引量：2
- 1999年
- 本文详细研究了扫描光荧光谱(PL Mapping)在半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料与器件性能关系中的应用,实验结果表明SI-GaAs单晶的 PL Mapping均匀性对器件性能有着至关重要的影响,所以在为制备器件选择优质的SI-GaAs材料时,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性外,PL Mapping也是表征材料质量的一个重要参数。
- 李光平汝琼娜李静何秀坤王寿寅陈祖祥胡春风
- 关键词：砷化镓半导体
- 光学干涉法同时测定二氧化硅薄膜折射率和厚度
- 1989年
- 本文利用二氧化硅薄膜的光学干涉效应和可变角度反射测量装置,给出了一种同时测定薄膜折射率和厚度的新方法.薄膜折射率和厚度的测量误差分别小于5%和6%.
- 何秀坤李光平王琴郑驹阎萍
- 关键词：二氧化硅厚度
- 全文增补中
- 薄片SI-GaAs碳和EL2浓度的测量方法研究
- 随着砷化镓集成电路和器件制造水平的提高,为了适应大规模、超大规模集成电路、超高速电路、电力电子器件、微波毫微米波器件发展的需要,对材料质量和表征材料质量特征参数的测量方法都提出了愈来愈高的要求。对于非掺杂SI-GaAs单...
- 何秀坤汝琼娜李光平
- 关键词：SI-GAAS测量方法EL2
- 文献传递
- 近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用
- 一、低温红外光谱技术及其特点低温技术是研究红外光谱的重要手段之一。低温红外光谱技术在半导体材料的结构。成份分析中有广泛的应用。它比常温测量有许多优点。如:随着温度的降低。半导体中杂质的特征吸收峰光大大减小,吸收峰变锐,峰...
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- 文献传递
