王琴
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
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- 掺杂GaAs中杂质缺陷的研究
- 1991年
- 本文利用红外吸收光谱、电子探针和X荧光光谱测量分析了GaAs中In、Cr、Si、Te、12~C、13~C等杂质。讨论了等电子掺杂、多重掺杂及同位素掺杂GaAs’中杂质的占位状态、与本征缺陷的相互作用及对材料均匀性和半绝缘性能的影响,并将部份测量结果与理论计算结果进行了对比研究。
- 王琴阎萍何秀坤李光平汝琼娜李晓波
- 关键词：砷化镓掺杂
- 光学干涉法同时测定二氧化硅薄膜折射率和厚度
- 1989年
- 本文利用二氧化硅薄膜的光学干涉效应和可变角度反射测量装置,给出了一种同时测定薄膜折射率和厚度的新方法.薄膜折射率和厚度的测量误差分别小于5%和6%.
- 何秀坤李光平王琴郑驹阎萍
- 关键词：二氧化硅厚度
- 全文增补中
- 半导体量子阱材料及其物理性能
- 随着分子束外延(NBE)和金属有机化合物化学汽相沉积(NOCVD)技术的发展和完善,使人们能够在原子尺度范围精确地控制用于器件研制的材料结构尺寸一量子尺寸,由此成功地设计制备了各种超晶格、量子阱和异质结微结构,这些材料呈...
- 王琴
- 关键词：半导体量子阱集成光电子学物理性能
- 文献传递
- 近代低温FT—IR技术及其在半导体分析中的应用
- 一、低温红外光谱技术及其特点低温技术是研究红外光谱的重要手段之一,低温红外光谱技术在半导体材料的结构、成份分析中有广泛的应用。它比常温测量有许多优点。如,随着温度的降低,半导体中杂质的特征吸收峰光大大减小,吸收峰变锐,峰...
- 李光平何秀坤王琴李晓波阎平汝琼娜郑驹
- 文献传递
- 近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用
- 一、低温红外光谱技术及其特点低温技术是研究红外光谱的重要手段之一。低温红外光谱技术在半导体材料的结构。成份分析中有广泛的应用。它比常温测量有许多优点。如:随着温度的降低。半导体中杂质的特征吸收峰光大大减小,吸收峰变锐,峰...
- 李光平何秀坤王琴李晓波阎平汝琼娜郑驹
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