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AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质被引量：2: 2006年; 采用高温Hall测量仪对一个全应变和一个部分应变弛豫的AlGaN/GaN异质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度变化范围从室温到680K.研究结果表明:在高温段2DEG的迁移率主要受LO声子散射限制;在室温,异质界面处的非均匀压电极化场对2DEG迁移率的散射也是一个主要的散射机制.同时,计算结果显示,随着温度升高,更多的电子跃迁到更高的子带,在更高的子带,其波函数逐渐扩展到AlGaN层内部以及GaN体内更深的位置,导致LO声子散射的屏蔽效应减弱且来自AlGaN层内的合金无序散射增强.; 陶春旻陶亚奇陈诚孔月婵陈敦军沈波焦刚陈堂胜张荣郑有炓; 关键词：二维电子气

A1N的缺陷能级和应变研究: 氮化铝(AlN)是直接带隙半导体，禁带宽度为6.2eV，近来被用来做金属—绝缘体—半导体(MIS)结构的绝缘体。与传统的作为绝缘体的SiOx相比，AlN具有更好的晶体质量，较大的介电常数，且更适用于以Ⅲ族氮化物为基的MI...; 陶春旻; 关键词：氮化铝光致发光谱

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陶春旻